Anisotropy of Conductivity in Bilayer Graphene with Relatively Shifted Layers

V. G. Litovchenko; A. I. Kurchak; M. V. Strikha

doi:10.15407/ujpe59.01.0079

Анiзотропiя провiдностi двошарового графену при вiдносному змiщеннi його шарiв

Автор(и)

V. G. Litovchenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
A. I. Kurchak V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
M. V. Strikha V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe59.01.0079

Ключові слова:

двошаровий графен, анiзотропiя провiдностi, долинний струм

Анотація

У рамках методу сильного зв’язку дослiджено трансформацiю зонного спектра двошарового графену (ДГ) зi зсунутими один щодо одного графеновими шарами. Показано, що в усьому дiапазонi експериментально актуальних значень зсуву ДГ залишається матерiалом з нульовою забороненою зоною, однак розташування точок дотикання зони провiдностi i валентної зони при цьому суттєво залежить вiд напрямку зсуву площин
одна щодо одної. Наслiдком зсуву є поява суттєвої анiзотропiї зон, яка, в свою чергу, приводить до суттєвої (порядку 10–20%) анiзотропiї провiдностi ДГ. Обговорено можливе застосування такої анiзотропiї в чутливих сенсорах механiчних напружень та для генерацiї в анiзотропному багатодолинному ДГ суто долинного струму за умови рiвностi нулевi середнього електронного спiну й електронного струму.

Посилання

S. Das Sarma, S. Adam, E.H. Hwang, and E. Rossi, Rev. Mod. Phys. 83, 407 (2011).

https://doi.org/10.1103/RevModPhys.83.407

E. McCann and V.I.Falko, Phys. Rev. Lett. 96, 086805 (2006).

https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.96.086805

E. McCann, Phys. Rev. B 74, 161403 (2006).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.74.161403

V.M. Pereira, A.H. Castro Neto, and N.M.R. Peres, Phys. Rev. B 80, 045401 (2009).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.80.045401

D.A. Gradinar, H. Schomreus, and V.I. Falko, Phys. Rev. B 85, 165429 (2012).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.85.165429

J.M.B. Lopes dos Santos, N.M.R. Peres, and A.H. Castro Neto, Phys. Rev. Lett. 99, 256802 (2007).

https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.99.256802

C.J. Tabert and E.J. Nicol, Phys. Rev. B 87, 121402 (2013).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.121402

S.H. Lee, C.W. Chiua, Y.H. Ho, and M.F. Lin, Synth. Met. 160, 2435 (2010).

https://doi.org/10.1016/j.synthmet.2010.09.023

H. Raza and E.C. Kan, J. Phys.: Condens. Matter 21, 102202 (2009).

https://doi.org/10.1088/0953-8984/21/10/102202

S. Adam and S. Das Sarma, Phys. Rev. B 76, 115436 (2008).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.77.115436

S. Das Sarma, E.H. Hwang, and E. Rossi, Phys. Rev. B 81, 161407 (2010).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.161407

S. Xiao, J.-Y. Chen, S. Adam et al., Phys. Rev. B 82, 041406 (2010).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.82.041406

H. Xu, T. Heizel, and I.V. Zozulenko, Phys. Rev. B 84, 115409 (2011).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.115409

T.L. Linnik, J. Phys.: Condens. Matter 24, 205302 (2012).

https://doi.org/10.1088/0953-8984/24/20/205302

V.P. Savchyn and R.Ya. Shavur, Electron Transfer in Semiconductors and Semiconductor Structures (Lviv National Univ., Lviv, 2008) (in Ukrainian).

Yu.A. Kruglyak, N.Yu. Kruglyak, and M.V. Strikha, Sens. Elektr. Mikrosyst. Tekhnol. 3, No. 4, 5 (2012).

D. Xiao, W. Yao, and Q. Niu, Phys. Rev. Lett. 99, 236809 (2007).

https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.99.236809

A. Rycerz, J. Tworzydlo, and C.W.J. Beenakker, Nature Phys. 3, 172 (2007).

S.A. Tarasenko and E.L. Ivchenko, Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 81, 292 (2005).

L.E. Golub, S.A. Tarasenko, M.V. Entin, and L.I. Magarill, Phys. Rev. B 84, 195408 (2011).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.195408

Y. Jiang, T. Low, K. Chang, M. Katsnelson, and F. Guinea, Phys. Rev. Lett. 110, 046601 (2013).

https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.110.046601

T.L. Linnik, unpublished.

V.I. Gavrilenko, N.I. Klyui, V.G. Litovchenko, and V.E. Strelmtskii, Phys. Status Solidi B 145, 209 (1988).

https://doi.org/10.1002/pssb.2221450119

V.G. Litovchenko, M.V. Strikha, and M.I. Klyui, Ukr. J. Phys. 56, 175 (2011).

Downloads

Опубліковано

2018-10-18

Як цитувати

Litovchenko, V. G., Kurchak, A. I., & Strikha, M. V. (2018). Анiзотропiя провiдностi двошарового графену при вiдносному змiщеннi його шарiв. Український фізичний журнал, 59(1), 79. https://doi.org/10.15407/ujpe59.01.0079

Завантажити посилання

Номер

Том 59 № 1 (2014)

Розділ

Наносистеми

Ліцензія

Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна

Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:

1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.

2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.

3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.

4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.

5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.

6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.