Дослiдження наноструктурованої поверхнi Si(001)-c(8 × 8) методом скануючої тунельної мiкроскопiї

Автор(и)

  • A. Goriachko Department of Nanophysics and Nanoelectronics, Taras Shevchenko National University of Kyiv
  • S. P. Kulyk Department of Nanophysics and Nanoelectronics, Taras Shevchenko National University of Kyiv
  • P. V. Melnik Department of Nanophysics and Nanoelectronics, Taras Shevchenko National University of Kyiv
  • M. G. Nakhodkin Department of Nanophysics and Nanoelectronics, Taras Shevchenko National University of Kyiv

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe60.02.0148

Ключові слова:

silicon, surface, reconstruction, scanning tunneling microscopy

Анотація

Реконструкцiя Si(001)-c(8×8), що спостерiгається в деяких випадках, є унiкальним наноструктурованим станом поверхнi Si(001). Вiн був одержаний внаслiдок внесення домiшок Cu в концентрацiях нижче межi чутливостi електронної спектроскопiї. Детальнi СТМ зображення демонструють, що в станi c(8 × 8) поверхня не є атомарно гладкою, натомiсть складається iз основних елементiв, якi належать двом послiдовним атомним шарам. Цими елементами є епiтаксiйнi аддимери Si в першому (поверхневому) шарi та подвiйнi димернi вакансiї в другому (приповерхневому) шарi кремнiєвого субстрату.

Downloads

Опубліковано

2019-01-22

Як цитувати

Goriachko, A., Kulyk, S. P., Melnik, P. V., & Nakhodkin, M. G. (2019). Дослiдження наноструктурованої поверхнi Si(001)-c(8 × 8) методом скануючої тунельної мiкроскопiї. Український фізичний журнал, 60(2), 148. https://doi.org/10.15407/ujpe60.02.0148

Номер

Розділ

Наносистеми

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають