Мої науковi контакти з В.Є. Лашкарьовим
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe59.08.0826Ключові слова:
-Анотація
-
Посилання
N.M. Omelyanovs'ka, V.G. Litovchenko, V.I. Strikha, and R.M. Bondarenko, Long-term inertial phenomena at the germanium point contact, in Scientific Annual for 1956 (Kyiv University, Kyiv, 1957).
V.I. Strikha, R.M. Bondarenko, N.M. Omelyanovs'ka, and V.G. Litovchenko, Influence of specific resistance and bulk lifetime of charge carriers in the material on the current sensitivity of centimeter-range radiation detectors, Visn. Kyiv. Univ. Ser. Fiz. Khim. No. 1 (1958).
V.E. Lashkarev, V.G. Litovchenko, N.M. Omelyanovs'ka, R.M. Bondarenko, and V.I. Strikha, Dependence of the foreign charge-carrier lifetime on the concentration of antimony impurity in germanium, Visn. Kyiv. Univ. Ser. Fiz. Khim. No. 1 (1958).
V.E. Lashkarev, V.G. Litovchenko, N.M. Omelyanovskaya, R.N. Bondarenko, and V.I. Strikha, Dependence of the lifetime of foreign charge carriers on the concentration of antomony impurity in germanium, Zh. Tekhn. Fiz. 27, 2437 (1957).
V.E. Lashkarev, R.M. Bondarenko, V.M. Dobrovolskyi, G.P. Zubrin, V.G. Litovchenko, and V.I. Strikha, Properties of germanium doped with beryllium, Ukr. Fiz. Zh. 4, 373 (1959).
V.E. Lashkarev, R.N. Bondarenko, V.N. Dobrovolskii, G.P. Zubrin, V.G. Litovchenko, and V.I. Strikha, Electric and recombination properties of germanium doped with beryllium, Fiz. Tverd. Tela, No. 2, 39 (1959).
V.I. Lyashenko and V.G. Litovchenko, Influence of molecular adsorption on the work function and conductivity of germanium (1. Amplitude characteristics; 2. Process kinetics), Zh. Tekhn. Fiz. 28, 447 (1958).
V.N. Dobrovolskii and V.G. Litovchenko, To the calculation of bulk lifetime and surface recombination rate of charge carriers, Prib. Tekhn. Eksp. No. 6 (1959).
V.G. Litovchenko, Calculation of the surface recombination rate and the bulk lifetime of charge carriers under nonsymmetrical boundary conditions, Ukr. Fiz. Zh. 4, 376 (1959).
V.G. Litovchenko, Research of quick surface states in silicon, Fiz. Tverd. Tela, 2, Special issue, 83 (1959).
V.G. Litovchenko and O.V. Snitko, Long-term variations of field effect in silicon, Fiz. Tverd. Tela 2 (1960).
V.G. Litovchenko and O.V. Snitko, Surface properties of silicon, Fiz. Tverd. Tela 2 (1960).
V.G. Litovchenko, The kinetics and amplitude characteristics of the small field effect at semiconductor surfaces during steady state illumination, Surf. Sci. 1, 291 (1964).
https://doi.org/10.1016/0039-6028(64)90032-9
V.G. Litovchenko and V.G. Popov, Surface Science and Microelectronics (Znanie, Moscow, 1990) (in Russian).
______________________________________
N.M. Omelyanovs'ka, V.G. Litovchenko, V.I. Strikha, and R.M. Bondarenko, Long-term inertial phenomena at the germanium point contact, in Scientific Annual for 1956 (Kyiv University, Kyiv, 1957).
V.I. Strikha, R.M. Bondarenko, N.M. Omelyanovs'ka, and V.G. Litovchenko, Influence of specific resistance and bulk lifetime of charge carriers in the material on the current sensitivity of centimeter-range radiation detectors, Visn. Kyiv. Univ. Ser. Fiz. Khim. No. 1 (1958).
V.E. Lashkarev, V.G. Litovchenko, N.M. Omelyanovs'ka, R.M. Bondarenko, and V.I. Strikha, Dependence of the foreign charge-carrier lifetime on the concentration of antimony impurity in germanium, Visn. Kyiv. Univ. Ser. Fiz. Khim. No. 1 (1958).
V.E. Lashkarev, V.G. Litovchenko, N.M. Omelyanovskaya, R.N. Bondarenko, and V.I. Strikha, Dependence of the lifetime of foreign charge carriers on the concentration of antomony impurity in germanium, Zh. Tekhn. Fiz. 27, 2437 (1957).
V.E. Lashkarev, R.M. Bondarenko, V.M. Dobrovolskyi, G.P. Zubrin, V.G. Litovchenko, and V.I. Strikha, Properties of germanium doped with beryllium, Ukr. Fiz. Zh. 4, 373 (1959).
V.E. Lashkarev, R.N. Bondarenko, V.N. Dobrovolskii, G.P. Zubrin, V.G. Litovchenko, and V.I. Strikha, Electric and recombination properties of germanium doped with beryllium, Fiz. Tverd. Tela, No. 2, 39 (1959).
V.I. Lyashenko and V.G. Litovchenko, Influence of molecular adsorption on the work function and conductivity of germanium (1. Amplitude characteristics; 2. Process kinetics), Zh. Tekhn. Fiz. 28, 447 (1958).
V.N. Dobrovolskii and V.G. Litovchenko, To the calculation of bulk lifetime and surface recombination rate of charge carriers, Prib. Tekhn. Eksp. No. 6 (1959).
V.G. Litovchenko, Calculation of the surface recombination rate and the bulk lifetime of charge carriers under nonsymmetrical boundary conditions, Ukr. Fiz. Zh. 4, 376 (1959).
V.G. Litovchenko, Research of quick surface states in silicon, Fiz. Tverd. Tela, 2, Special issue, 83 (1959).
V.G. Litovchenko and O.V. Snitko, Long-term variations of field effect in silicon, Fiz. Tverd. Tela 2 (1960).
V.G. Litovchenko and O.V. Snitko, Surface properties of silicon, Fiz. Tverd. Tela 2 (1960).
V.G. Litovchenko, The kinetics and amplitude characteristics of the small field effect at semiconductor surfaces during steady state illumination, Surf. Sci. 1, 291 (1964).
https://doi.org/10.1016/0039-6028(64)90032-9
V.G. Litovchenko and V.G. Popov, Surface Science and Microelectronics (Znanie, Moscow, 1990) (in Russian).
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
