Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001)

Автор(и)

  • A. A. Grynchuk Taras Shevchenko National University of Kyiv
  • I. P. Koval Taras Shevchenko National University of Kyiv
  • M. G. Nakhodkin Taras Shevchenko National University of Kyiv

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe59.02.0148

Ключові слова:

напруження, анiзотропiя напружень, окислення

Анотація

За допомогою аналiзу змiн розмiрiв елементарних комiрок, яке вiдбувається внаслiдок утворення на їх поверхнях димерiв або адсорбцiї атомiв i молекул, якiсно розглянуто пружнi напруження чистої поверхнi GexSi1−x/Si(001) та на початкових етапах її окислення. Вони мають майже однаковий характер, як для чистої поверхнi GexSi1−x/Si(001), так i пiсля адсорбцiї на нeї молекул O2 або 1-го, 2-х та 3-х атомiв O. Напруження виявились анiзотропними: вздовж димерних рядiв вони були стискаючими та приблизно у 3 рази бiльшими вiд розтягуючих напружень у напрямку, перпендикулярному до димерних рядiв (вздовж димерного зв’язку).

Посилання

F.K. LeGoues, R. Rosenberg et al., J. Appl. Phys. 65, 1724 (1989).

https://doi.org/10.1063/1.342945

T. Fukuda and T. Ogino, Surf. Sci. 380, 469 (1997).

https://doi.org/10.1016/S0039-6028(97)00017-4

T. Fukuda and T. Ogino, Surf. Sci. 357-358, 748 (1996).

https://doi.org/10.1016/0039-6028(96)00257-9

T. Fukuda, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 1450 (1999).

https://doi.org/10.1143/JJAP.38.L1450

I.P. Koval, Yu.A. Len', and M.G. Nakhodkin, Visn. Kyiv. Univ. Ser. Fiz. Mat. Nauky 1, 275 (2006).

J.L. Alerharda, D. Vanderblit, R.D. Mende et al., Phys. Rev. Lett. 61, 1973 (1988).

https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.61.1973

J. Dabrowski, and H.-J. Mussing, Silicon Surfaces and Formation of Interfaces. Basic Science in the Industrial World (World Scientific, Singapore, 2000); H. Ibach, Physics of Surfaces and Interfaces (Springer, Berlin, 2006).

M.C. Payene, Rev. Mod. Phys. 64, 1045 (1992).

https://doi.org/10.1103/RevModPhys.64.1045

V. Kon, Usp. Fiz. Nauk 172, 336 (2000).

https://doi.org/10.3367/UFNr.0172.200203e.0336

X. Gonze, B. Amadon, P.M. Anglade et al., Comp. Mater. Sci. 25, 478 (2002).

https://doi.org/10.1016/S0927-0256(02)00325-7

H.J. Monkhorst and J.D. Pack, Phys. Rev. B 13, 5188 (1976).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.13.5188

A. Garcia and J.E. Northrup, Phys. Rev. B 48, 3156 (1993).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.48.3156

R. Shaltaf, M. ¸Cakmak, E. Mete et al., Surf. Sci. 566-568, 956 (2004).

https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.036

M. ¸Cakmak, R. Shaltaf, G.P. Srivastava et al., Surf. Sci. 532-535, 661 (2003).

https://doi.org/10.1016/S0039-6028(03)00454-0

O.L. Alerhand, J. Wang, J.D. Joannopoulos et al., Phys. Rev. B 44, 6534 (1991).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.44.6534

T.V. Afanasieva, I.P. Koval, M.G. Nakhodkin et al, Visn. Kyiv. Univ. Ser. Fiz. Mat. Nauky 2, 207 (2007).

T. Afanasieva, I. Koval, M. Nakhodkin et al., Ukr. J. Phys. 56, 240 (2011).

T. Afanasieva, I. Koval, M. Nakhodkin et al., Ukr. J. Phys. 57, 355 (2012).

F. Liu and M.G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 76, 3156 (1995).

https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.76.3156

F. Wu and M.G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 75, 2534 (1995).

https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.75.2534

R. Felici, I.K. Robinson, C. Ottaviani et al., Surf. Sci. 375, 55 (1997).

https://doi.org/10.1016/S0039-6028(97)80005-2

T. Afanasieva, I. Koval, M. Nakhodkin et al., Ukr. J. Phys. 56, 352 (2011).

Опубліковано

2018-10-18

Як цитувати

Grynchuk, A. A., Koval, I. P., & Nakhodkin, M. G. (2018). Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001). Український фізичний журнал, 59(2), 148. https://doi.org/10.15407/ujpe59.02.0148

Номер

Розділ

Тверде тіло

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають