Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс

Автор(и)

  • V. G. Litovchenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe60.10.1036

Ключові слова:

метод комбiнованої поверхневої спектроскопiї фото-ерс, сонячний кремнiй, поверхневий просторовий заряд

Анотація

Методом комбiнованої поверхневої спектроскопiї фото-ерс Vsc(л) дослiджено фундаментальнi рекомбiнацiйнi параметри фоточутливого сонячного кремнiєвого матерiалу. Запропонований метод проаналiзовано на прикладi 4-х типових кремнiєвих структур: 1) пластини промислового фоточутливого кремнiю з хiмiчно травленою (реальною) поверхнею; 2) структури з iмплантованою рекомбiнацiйно-активною домiшкою (Fe+); 3) структури SiO2–Si з фронтальним iнверсним каналом; 4) структури з дифузiйним p–n-переходом. Проведено порiвняння з формулами для рiзних актуальних випадкiв, а саме для спектрiв прямих та зворотних фото-ерс VSC, 1/VSC в координатах прямого та оберненого коефiцiєнта поглинання k та 1/k. Розраховано наступнi рекомбiнацiйнi характеристики сонячного кремнiю: швидкостi поверхневої та об’ємної рекомбiнацiй S та Vv; координацiйна залежнiсть приповерхневих рекомбiнацiйно-активних домiшок та структурних технологiчних домiшок та дефектiв в областi приповерхневого просторового заряду.

Опубліковано

2019-01-10

Як цитувати

Litovchenko, V. G. (2019). Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс. Український фізичний журнал, 60(10), 1036. https://doi.org/10.15407/ujpe60.10.1036

Номер

Розділ

Тверде тіло

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>