Effect of Tin on Structural Transformations in the Thin-Film Silicon Suboxide Matrix

V. V. Voitovych; R. M. Rudenko; V. O. Yuchymchuk; M. V. Voitovych; M. M. Krasko; A. G. Kolosiuk; V. Yu. Povarchuk; I. M. Khachevich; M. P. Rudenko

doi:10.15407/ujpe61.11.0980

Вплив олова на структурнi перетворення тонкоплiвкової субоксидної матрицi кремнiю

Автор(и)

V. V. Voitovych Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
R. M. Rudenko Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
V. O. Yuchymchuk V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
M. V. Voitovych V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
M. M. Krasko Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
A. G. Kolosiuk Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
V. Yu. Povarchuk Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
I. M. Khachevich V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
M. P. Rudenko Mykola Gogol State University of Nizhyn

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe61.11.0980

Ключові слова:

кристалiзацiя, аморфний кремнiй, олово, кристалiти кремнiю нанорозмiрiв

Анотація

Дослiджено процеси кристалiзацiї аморфного кремнiю (a-Si) в субоксиднiй матрицi a-SiOxSn. Показано, що температура, при якiй починається процес кристалiзацiї, тим нижча, чим бiльше олова мiститься в a-SiOxSn плiвках. Для зразкiв з максимум олова (2% до об’єму SiOx) кристалiзацiя починається при температурi 500 ∘C, для зразкiв з середнiм значенням олова (1%) температура кристалiзацiї становить 800 ∘C i для зразкiв з мiнiмум олова (0,5%), процес кристалiзацiї a-Si починається при 1000 ∘C. З iншого боку, показано, що олово не впливає на процеси роздiлення фаз a-Si та SiO2 у дослiджуваних зразках в процесi вiдпалiв. З розрахункiв встановлено, що у a-SiOxSn плiвках з високим вмiстом олова (1 та 2%) в процесi кристалiзацiї a-Si формуються кристалiти кремнiю значно менших розмiрiв (d ≈ 5–7 нм) порiвняно iз нелегованими оловом зразками (d ≥ 10 нм). Запропоновано метало-iндукований механiзм кристалiзацiї а-Si, який передбачає наявнiсть металiчних кластерiв олова в SiOx, якi створюють умови для бiльш раннього переходу аморфної фази кремнiю в кристалiчну. Враховуючи експериментальнi данi, ми припускаємо, що у нашому випадку необхiдною умовою для початку кристалiзацiї а-Si є наявнiсть металiчних скупчень олова в SiOx, i має мiсце метало-iндукований механiзм кристалiзацiї.

Downloads

Опубліковано

2019-01-04

Як цитувати

Voitovych, V. V., Rudenko, R. M., Yuchymchuk, V. O., Voitovych, M. V., Krasko, M. M., Kolosiuk, A. G., Povarchuk, V. Y., Khachevich, I. M., & Rudenko, M. P. (2019). Вплив олова на структурнi перетворення тонкоплiвкової субоксидної матрицi кремнiю. Український фізичний журнал, 61(11), 980. https://doi.org/10.15407/ujpe61.11.0980

Завантажити посилання

Номер

Том 61 № 11 (2016)

Розділ

Тверде тіло

Ліцензія

Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна

Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:

1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.

2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.

3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.

4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.

5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.

6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.