Оптичнi властивостi епiтаксiйних плiвок GaN, що перебували пiд дiєю мiкрохвильового опромiнення
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe59.01.0034Ключові слова:
нiтрид галiю, епiтаксiйна плiвка, електровiдбивання, мiкрохвильова обробка, параметр уширення, внутрiшня деформацiяАнотація
Дослiджено вплив мiкрохвильових обробок (МХО) на оптичнi властивостi епiтаксiйних плiвок GaN гексагональної модифiкацiї. Для дiагностики рiвня внутрiшнiх механiчних напружень i структурної досконалостi тонкого приповерхневого шару плiвки використовувався метод електровiдбивання (ЕВ). Спектри ЕВ вимiрювалися в областi локалiзацiї перших прямих зона-зонних переходiв. Показано, що внаслiдок МХО в опромiнених плiвках спостерiгається релаксацiя внутрiшнiх механiчних напружень i полiпшення структурної досконалостi приповерхневого шару. Запропоновано механiзм виявлених ефектiв, що враховує резонанснi ефекти i локальний розiгрiв дефектних областей плiвки.
Посилання
S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
A.G. Vasil'ev, Yu.V. Kolkovskii, and Yu.A. Kontsevoi, UHF Devices and Equipment Based on Wide-Gap Semiconductors (Tekhnosfera, Moscow, 2011) (in Russian).
R. Quay, Gallium Nitride Electronics (Springer, Berlin, 2008).
Chang Bao Han, Chuan He, Xiao Bo Meng et al., Opt. Express 20, 5636 (2012).
https://doi.org/10.1364/OE.20.005636
Jae Hyung Yi, Chinkyo Kim, Min Hong Kim et al., J. Korean Phys. Soc. 39, S364 (2001).
Z.Z. Chen, Z.X. Qin, Y.Z. Tong et al., Physica B 334, 188 (2003).
https://doi.org/10.1016/S0921-4526(03)00062-0
D.G. Kent, K.P. Lee, A.P. Zang et al., Solid State Electr. 45, 467 (2001).
https://doi.org/10.1016/S0038-1101(01)00016-8
Ming-Kwei Lee, Chen-Lin Ho, and Jia-Yi Zeng, Electrochem. Solid-State Lett. 11, D9 (2008).
https://doi.org/10.1149/1.2803054
A.E. Belyaev, N.I. Klyui, R.B. Konakova et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. 46, 317 (2012).
A.V. Kurakin, S.A. Vitusevich, S.V. Danylyuk et al., J. Appl. Phys. 103, 083707 (2008).
https://doi.org/10.1063/1.2903144
A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, S.A. Vitusevich et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. 44, 775 (2010).
S.G. Sundaresan, M. Murthy, M.V. Rao et al., Semicond. Sci. Technol. 22, 1151 (2007).
https://doi.org/10.1088/0268-1242/22/10/012
G.S. Aluri, M. Gowda, N.A. Mahadik et al., J. Appl. Phys. 108, 083103 (2010).
https://doi.org/10.1063/1.3493266
M.V. Rao, in Advances in Induction and Microwave Heating of Mineral and Organic Materials, edited by S. Grundas (InTech, 2011).
V.I., V.A. Perevoshchikov, and V.D. Skupov, Pis'ma Zh. Tekhn. Fiz. 20, No. 8, 14 (1994).
I.B. Ermolovich, G.V. Milenin, V.V. Milenin et al., Zh. Tekhn. Fiz. 77, No. 9, 71 (2007).
E.D. Atanassova, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin, V.F. Mitin, and V.V. Shynkarenko, Effect of Active Actions on the Properties of Semiconductor Materials and Structures (NTC "Institute for Single Crystals", Kharkiv, 2007).
Y.S. Huang, F.H. Pollak, S.S. Park et al., J. Appl. Phys. 94, 899 (2003).
https://doi.org/10.1063/1.1582230
B. Gil, O. Briot, and R.L. Aulombard, Phys. Rev. B 52, R17028 (1995).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.52.R17028
A.E. Belyaev, E.F. Venger, I.B. Ermolovich, R.V. Konakova, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin, I.V. Prokopenko, G.S. Svechnikov, E.A. Soloviev, and L.I. Fedorenko, Effect of Microwave and Laser Radiations on the Parameters of Semiconductor Structures (V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Kyiv, 2002).
Technology of Gallium Nitride Crystal Growth, edited by D. Ehrentraut, E. Meissner, and M. Bockowski (Springer, Berlin, 2010).
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
