Research of Recombination Characteristics of Cz-Si Implanted with Iron Ions

D. V. Gamov; O. I. Gudymenko; V. P. Kladko; V. G. Litovchenko; V. P. Melnik; O. S. Oberemok; V. G. Popov; Yu. O. Polishchuk; B. M. Romaniuk; V. V. Chernenko; V. M. Nasekа

doi:10.15407/ujpe58.09.0881

Дослiдження рекомбiнацiйних характеристик Cz-кремнiю, iмплантованого iонами залiза

Автор(и)

D. V. Gamov V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
O. I. Gudymenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
V. P. Kladko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
V. G. Litovchenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
V. P. Melnik V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
O. S. Oberemok V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
V. G. Popov V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
Yu. O. Polishchuk V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
B. M. Romaniuk V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
V. V. Chernenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
V. M. Nasekа V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe58.09.0881

Ключові слова:

кремнiй, гетерування, залiзо, дефекти, час життя, рентгенiвська дифрактометрiя, мас-спектрометрiя

Анотація

Проведено порiвняльнi дослiдження процесiв дефектоутворення та змiни часу життя неосновних нерiвноважних носiїв заряду у кремнiї при гетеруваннi домiшки залiза комбiнованим гетером “шар поруватого кремнiю + плiвка алюмiнiю”. Показано, що в процесi вiдпалу зразкiв без гетерного шару в iмплантованiй областi формуються силiцид залiза i дефекти вакансiйного типу, внаслiдок чого спостерiгається сильне зниження
часу життя нерiвноважних неосновних носiїв заряду. Проведено дослiдження впливу гетерного шару на процеси дефектоутворення i перерозподiлу атомiв залiза, iмплантованих в кремнiй, у випадку їх високих концентрацiй в приповерхневiй областi. Показано, що наявнiсть гетерного шару зменшує ефективнiсть силiцидоутворення в iмплантованiй областi i збiльшує концентрацiю мiжвузлових дефектiв в кремнiї. Запропоновано фiзичну модель процесу гетерування, яка враховує зменшення концентрацiї атомiв залiза в iмплантованiй областi за рахунок гетерування i зменшення концентрацiї вакансiйних дефектiв, а також одночасне зростання концентрацiї дефектiв мiжвузлового типу, якi пов’язанi з формуванням комплексiв залiза з атомами бору. Саме цi комплекси є рекомбiнацiйно-активними i не дозволяють вiдновити час життя носiїв заряду до вихiдного значення.

Посилання

<ol>

<li> A.A. Istratov, H. Hieslmair, and E.R. Weber, Appl. Phys. A 70, 489 (2000).
 <a href="https://doi.org/10.1007/s003390051074">https://doi.org/10.1007/s003390051074</a>
</li>
<li> D. Macdonald and L. Geerligs, Appl. Phys. Lett. 85, 4061 (2004).
 <a href="https://doi.org/10.1063/1.1812833">https://doi.org/10.1063/1.1812833</a>
</li>
<li> K. Schmalz, F. Kirscht, S. Nieze et al., Phys. Status Solidi A 100, 69 (1987).
 <a href="https://doi.org/10.1002/pssa.2211000108">https://doi.org/10.1002/pssa.2211000108</a>
</li>
<li> G. Zoth and W. Berholz, J. Appl. Phys, 67, 676 (1990).
 <a href="https://doi.org/10.1063/1.345063">https://doi.org/10.1063/1.345063</a>
</li>
<li> A.A. Istratov, H. Hieslmair, and E.R. Weber, Appl. Phys. 69, 13 (1999).
 <a href="https://doi.org/10.1007/s003390050968">https://doi.org/10.1007/s003390050968</a>
</li>
<li> K.D. Glinchuk and N.M. Litovchenko, Optoelektron. Poluprovodn. Tekhn. Obzory 21, 47 (1991).
</li>
<li> V. Vahanissi, A. Haarahiltunen, H. Talvitie, M. YliKoski, and H. Savin, Prog. Photovolt. Res. Appl., (2012).
 <a href="https://doi.org/10.1002/pip.2215">https://doi.org/10.1002/pip.2215</a>
</li>
<li> A.A. Evtukh, V.G. Litovchenko, A.S. Oberemok et al., Semicond. Phys. Quant. Electr. Optoelectr. 4, 278 (2001).
</li>
<li> T.E. Seidel, R.L. Meek, and A.G. Cullis, J. Appl. Phys. 46 (1975).
</li>
<li> S.M. Joshi, U.M. Gosele, and T.Y. Tan, J. Appl. Phys. 77, 3858 (1995).
 <a href="https://doi.org/10.1063/1.358563">https://doi.org/10.1063/1.358563</a>
</li>
<li> S.G. Volkov, A.A. Evtukh, V.G. Litovchenko et al., Ukr. Fiz. Zh. 47, 684 (2002).
</li>
<li> V.G. Litovchenko, B.M. Romanyuk, V.G. Popov et al., Metallofiz. Noveish. Tekhnol. 33, 873 (2011).
</li>
<li> A.M. Goodman, J. Appl. Phys. 32, 2550 (1961).
 <a href="https://doi.org/10.1063/1.1728351">https://doi.org/10.1063/1.1728351</a>
</li>
<li> V.G. Litovchenko, I.P. Lisovskyy, C. Claeys, V.P. Kladko, S.O. Zlobin, M.V. Muravska, O.O. Efremov, and M.V. Slobodjan, Solid State Phenom. 405, 131 (2008).
</li>
<li> O.M. Yefanov and V.P. Kladko, Metallofiz. Noveish. Tekhnol. 28, 227 (2006).
</li>
<li> V.B. Molodkin, S.I. Olikhovskii, E.G. Len, E.N. Kislovskii, V.P. Kladko, O.V. Reshetnyk, T.P. Vladimirova, and B.V. Sheludchenko, Phys. Status Solidi A 206, 1761 (2009).
 <a href="https://doi.org/10.1002/pssa.200881588">https://doi.org/10.1002/pssa.200881588</a>
</li>
<li> V.P. Kladko, L.I. Datsenko, J. Bak-Misiuk, S.I. Olikhovskii, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko, V.B. Molodkin, and Z.V. Maksimenko, J. Phys. D 34, A87 (2001).
 <a href="https://doi.org/10.1088/0022-3727/34/10A/318">https://doi.org/10.1088/0022-3727/34/10A/318</a>
</li>
<li> V.G. Litovchenko, V.M. Naseka, and A.A. Evtukh, Ukr. Fiz. Zh. 57, 76 (2012).
</li>
<li> A. Sarikov, V. Litovchenko, I. Lisovskyy et al., J. Electrochem. Soc. 158, H772 (2011).
 <a href="https://doi.org/10.1149/1.3594724">https://doi.org/10.1149/1.3594724</a>
</li>

</ol>

Downloads

Опубліковано

2018-10-11

Як цитувати

Gamov, D. V., Gudymenko, O. I., Kladko, V. P., Litovchenko, V. G., Melnik, V. P., Oberemok, O. S., Popov, V. G., Polishchuk, Y. O., Romaniuk, B. M., Chernenko, V. V., & Nasekа V. M. (2018). Дослiдження рекомбiнацiйних характеристик Cz-кремнiю, iмплантованого iонами залiза. Український фізичний журнал, 58(9), 881. https://doi.org/10.15407/ujpe58.09.0881

Завантажити посилання

Номер

Том 58 № 9 (2013)

Розділ

Тверде тіло

Ліцензія

Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна

Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:

1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.

2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.

3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.

4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.

5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.

6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.