Recombination Characteristics of Single-Crystalline Silicon Wafers with a Damaged Near-Surface Layer

A. V. Sachenko; V. P. Kostylyov; V. G. Litovchenko; V. G. Popov; B. M. Romanyuk; V. V. Chernenko; V. M. Naseka; T. V. Slusar; S. I. Kyrylova; F. F. Komarov

doi:10.15407/ujpe58.02.0142

Рекомбiнацiйнi характеристики пластин монокристалiчного кремнiю з приповерхневим порушеним шаром

Автор(и)

A. V. Sachenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
V. P. Kostylyov V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
V. G. Litovchenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
V. G. Popov V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
B. M. Romanyuk V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
V. V. Chernenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
V. M. Naseka V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
T. V. Slusar National Aviation University
S. I. Kyrylova V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
F. F. Komarov A.N. Sevchenko Institute for Applied Physical Problems, Belarusian State University

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe58.02.0142

Ключові слова:

surface photovoltage, surface recombination, silicon

Анотація

Експериментально та теоретично дослiджено спектральнi залежностi малосигнальної конденсаторної фото-ерс Vf (л) з дiлянкою короткохвильового спаду. Показано, що в короткохвильовiй областi спектра залежностi Vf (л) дозволяють отримати з використанням експериментально неруйнiвного методу важливу iнформацiю про змiну рекомбiнацiйних властивостей поверхнi та об’єму фоточутливого кремнiєвого матерiалу. Встановлено, зокрема, що створення порушеного приповерхневого шару за рахунок iмплантацiї залiза приводить як до сильного зменшення об’ємної довжини дифузiї (тобто часу життя) в iмплантованому шарi, так i до зростання ефективної швидкостi поверхневої рекомбiнацiї на освiтлюванiй поверхнi.

Посилання

<ol>
<li> W. Gartner, Phys. Rev. 105, 823 (1997). <a href="https://doi.org/10.1103/PhysRev.105.823">CrossRef</a></li>
<li> V.A. Zuev and V.G. Litovchenko, Phys. Status Solidi A 16, 175 (1966). <a href="https://doi.org/10.1002/pssb.19660160242">CrossRef</a></li>
<li> V.A. Zuev and V.G. Litovchenko, Surf. Sci. 32, 365 (1972). <a href="https://doi.org/10.1016/0039-6028(72)90166-5">CrossRef</a></li>
<li> L. Kronik and Y. Shapira, Surf. Sci. Rep. 37, 1 (1999). <a href="https://doi.org/10.1016/S0167-5729(99)00002-3">CrossRef</a></li>
<li> A.P. Gorban', V.P. Kostylyov, V.G. Litovchenko, A.V. Sachenko, and O.V. Snitko, Ukr. Fiz. Zh. 34, 404 (1989).</li>
<li> A.P. Gorban', V.P. Kostylyov, A.V. Sachenko, A.A. Serba, and V.V. Chernenko, Optoelektron. Poluprovodn. Tekhn. 37, 61 (2002).</li>
<li> A.P. Gorban', V.P. Kostylyov, A.V. Sachenko, O.A. Serba, I.O. Sokolovskyi, and V.V. Chernenko, Ukr. Fiz. Zh. 55, 784 (2010).</li>
<li> V.V. Antoshchuk, V.V. Milenin, V.E. Primachenko, and O.V. Snitko, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 11, 2002 (1977).</li>
<li> V.G. Litovchenko and A.P. Gorban', Fundamentals of Microelectronic Metal–Insulator–Semiconductor Systems (Naukova Dumka, Kyiv, 1978) (in Russian).</li>
<li> A.V. Sachenko and O.V. Snitko, Photo-Effects in Near-Surface Layers of Semiconductors (Naukova Dumka, Kyiv, 1984) (in Russian).</li>
<li> A.L. Fahrenbruch and R.H. Bube, Fundamentals of Solar Cells: Photovoltaic Solar Energy Conversion (Academic Press, New York, 1983).</li>
<li> K.D. Glinchuk and N.M. Litovchenko, Poluprovodn. Tekhn. Mikroelektron. 28, 4 (1978).</li>
<li> V.G. Litovchenko, V.M. Naseka, and A.A. Evtukh, Ukr. J. Phys. 57, 73 (2012).</li>
</ol>

Downloads

PDF (English)

Опубліковано

2018-10-05

Як цитувати

Sachenko, A. V., Kostylyov, V. P., Litovchenko, V. G., Popov, V. G., Romanyuk, B. M., Chernenko, V. V., Naseka, V. M., Slusar, T. V., Kyrylova, S. I., & Komarov, F. F. (2018). Рекомбiнацiйнi характеристики пластин монокристалiчного кремнiю з приповерхневим порушеним шаром. Український фізичний журнал, 58(2), 142. https://doi.org/10.15407/ujpe58.02.0142

Завантажити посилання

Номер

Том 58 № 2 (2013)

Розділ

Тверде тіло

Ліцензія

Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна

Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:

1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.

2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.

3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.

4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.

5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.

6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.