Пропозицiя структури графен/Ge(111) на основi дослiдження методом скануючої тунельної мiкроскопiї у надвисокому вакуумi

Автор(и)

  • A. Goriachko Department of Physical Electronics, Taras Shevchenko National University of Kyiv
  • P. V. Melnik Department of Physical Electronics, Taras Shevchenko National University of Kyiv
  • M. G. Nakhodkin Department of Nanophysics and Nanoelectronics, Taras Shevchenko National University of Kyiv

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe61.01.0075

Ключові слова:

германiй, графен, сканувальна тунельна мiкроскопiя

Анотація

У роботi наведено результати експериментальних спостережень методом скануючої тунельної мiкроскопiї нової поверхневої надструктури 5,5√3 × 5,5√3 − R30 ∘ на пiдкладцi Ge(111). Їй притаманнi яскраво вираженi ефекти локальної густини електронних станiв, що спричиняють сильну залежнiсть СТМ зображень вiд тунельної напруги, а також їхнi динамiчнi змiни при 300 К. Запропоновано iнтерпретацiю даної надструктури як графену, що формується у малих субмоношарових кiлькостях шляхом пiролiзу вуглеводневих складових залишкової атмосфери вакуумної камери пiд час вiдпалу зразка Ge(111) при 900 K. Побудовано атомарну модель гетероепiтаксiйного iнтерфейсу графен/Ge(111)-5,5√3 × 5,5√3 −R30 ∘, що вiдзначається реконструйованою пiдкладкою Ge(111) без дальнього порядку пiд шаром графену, який є перiодично вигнутим по висотi внаслiдок просторових варiацiй мiжатомної геометрiї надзвичайно сильно неузгоджених ґраток Ge(111) та графен(0001).

Посилання

K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov et al., Science 306, 666 (2004). http://dx.doi.org/10.1126/science.1102896

A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres et al., Rev. Mod. Phys. 81, 109 (2009). http://dx.doi.org/10.1103/RevModPhys.81.109

J. Wintterlin and M.-L. Bocquet, Surf. Sci. 603, 1841 (2009). http://dx.doi.org/10.1016/j.susc.2008.08.037

U. Starke and C. Riedl, J. of Phys.: Cond. Matt. 21, 134016 (2009). http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/21/13/134016

S. Akc¨oltekin, M.El. Kharrazi, B. K¨ohler et al., Nanotechn. 20, 155601 (2009). http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/20/15/155601

P. Blake, E.W. Hill, A.H. Castro Neto et al., Appl. Phys. Lett. 91, 063124 (2007). http://dx.doi.org/10.1063/1.2768624

A.K. Geim and K.S. Novoselov, Nature Mater. 6, 183 (2007). http://dx.doi.org/10.1038/nmat1849

L. Simon, M Stoffel, P. Sonnet et al., Phys. Rev. B 64, 035306 (2001). http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.64.035306

C. Oshima and A. Nagashima, J. of Phys.: Cond. Matt. 9, 1 (1997). http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/9/1/004

A. Banerjee and H. Grebel, Nanotechn. 19, 365303 (2008). http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/19/36/365303

R.W. Olesinski and G.J. Abbaschian, Bull. Alloy Phase Diagr. 5, 484 (1984). http://dx.doi.org/10.1007/BF02872901

H.E. Elsayed-Ali and X. Zeng, Surf. Sci. 538, 23 (2003). http://dx.doi.org/10.1016/S0039-6028(03)00699-X

G. Wang, M. Zhang, Y. Zhu et al., Sci. Reports 3, 2465 (2013). http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/23955352

I.V. Lyubinetsky, P.V. Melnik, N.G. Nakhodkin et al., Vacuum 46, 219 (1995). http://dx.doi.org/10.1016/0042-207X(94)00047-6

I.V. Lyubinetsky, Ukr. J. Phys. 60, 160 (2015). http://dx.doi.org/10.15407/ujpe60.02.0160

A. Goriachko, P.V. Melnik, M.G. Nakhodkin, Ukr. J. Phys. 60, 1132 (2015). http://dx.doi.org/10.15407/ujpe60.11.1132

A. Goriachko, P.V. Melnik, A. Shchyrba et al., Surf. Sci. 605, 1771 (2011). http://dx.doi.org/10.1016/j.susc.2011.06.004

A. Goriachko, A. Shchyrba, P.V. Melnik et al., Ukr. J. Phys. 59, 805 (2014). http://dx.doi.org/10.15407/ujpe59.08.0805

R.S. Becker, B.S. Swartzentruber, J.S. Vickers et al., Phys. Rev. B 39, 1633 (1989). http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.39.1633

E.S. Hirschorn, D.S. Lin, F.M. Leibsle et al., Phys. Rev. B 44, 1403 (1991). http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.44.1403

G. Lee, H. Mai, I. Chizhov et al., J. of Vac. Sci. and Techn. A 16, 1006 (1998). http://dx.doi.org/10.1116/1.581222

G. Lee, H. Mai, I. Chizhov et al., Surf. Sci. 463, 55 (2000). http://dx.doi.org/10.1016/S0039-6028(00)00596-3

S. Marchini, S. G¨unther, J. Wintterlin, Phys. Rev. B 76, 075429 (2007). http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.76.075429

A. Goriachko, H. Over, Zeit. Phys. Chem. 223, 157 (2009). http://dx.doi.org/10.1524/zpch.2009.6030

B. Borca, S. Barja, M. Garnica et al., Semicond. Sci. Techn. 25, 034001 (2010). http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/25/3/034001

A. Goriachko, P.V. Melnik, M.G. Nakhodkin et al., Materialwiss. Werkstofftech. 44, 129 (2013). http://dx.doi.org/10.1002/mawe.201300108

A.J. Mayne, F. Rose, C. Bolis et al., Surf. Sci. 486, 226 (2001). http://dx.doi.org/10.1016/S0039-6028(01)01057-3

UJP 2016 V610 #1uk

Завантаження

Опубліковано

2019-01-08

Номер

Том 61 № 1 (2016)

Розділ

Наносистеми

Ліцензія

Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна

Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:

1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.

2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.

3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.

4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.

5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.

6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.

Як цитувати

Пропозицiя структури графен/Ge(111) на основi дослiдження методом скануючої тунельної мiкроскопiї у надвисокому вакуумi. (2019). Український фізичний журнал, 61(1), 75. https://doi.org/10.15407/ujpe61.01.0075

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають