Дослiдження рекомбiнацiйних характеристик Cz-кремнiю, iмплантованого iонами залiза

Автор(и)

  • D. V. Gamov V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • O. I. Gudymenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. P. Kladko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. G. Litovchenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. P. Melnik V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • O. S. Oberemok V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. G. Popov V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • Yu. O. Polishchuk V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • B. M. Romaniuk V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. V. Chernenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. M. Nasekа V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe58.09.0881

Ключові слова:

кремнiй, гетерування, залiзо, дефекти, час життя, рентгенiвська дифрактометрiя, мас-спектрометрiя

Анотація

Проведено порiвняльнi дослiдження процесiв дефектоутворення та змiни часу життя неосновних нерiвноважних носiїв заряду у кремнiї при гетеруваннi домiшки залiза комбiнованим гетером “шар поруватого кремнiю + плiвка алюмiнiю”. Показано, що в процесi вiдпалу зразкiв без гетерного шару в iмплантованiй областi формуються силiцид залiза i дефекти вакансiйного типу, внаслiдок чого спостерiгається сильне зниження
часу життя нерiвноважних неосновних носiїв заряду. Проведено дослiдження впливу гетерного шару на процеси дефектоутворення i перерозподiлу атомiв залiза, iмплантованих в кремнiй, у випадку їх високих концентрацiй в приповерхневiй областi. Показано, що наявнiсть гетерного шару зменшує ефективнiсть силiцидоутворення в iмплантованiй областi i збiльшує концентрацiю мiжвузлових дефектiв в кремнiї. Запропоновано фiзичну модель процесу гетерування, яка враховує зменшення концентрацiї атомiв залiза в iмплантованiй областi за рахунок гетерування i зменшення концентрацiї вакансiйних дефектiв, а також одночасне зростання концентрацiї дефектiв мiжвузлового типу, якi пов’язанi з формуванням комплексiв залiза з атомами бору. Саме цi комплекси є рекомбiнацiйно-активними i не дозволяють вiдновити час життя носiїв заряду до вихiдного значення.

Завантаження

Опубліковано

2018-10-11

Номер

Розділ

Тверде тіло

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають

1 2 > >>