Вплив слабкого магнiтного поля на параметри терагерцового випромiнювання в околi 100 мкм гарячими носiями з p-Ge

Автор(и)

  • V. M. Bondar Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • A. S. Pylypchuk Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. V. Bondarenko Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe59.09.0884

Ключові слова:

слабке магнiтне поле, терагерцове випромiнювання, p-Ge

Анотація

У роботi наведено експериментальнi результати вимiрювання впливу слабкого магнiтного поля на поляризацiйнi характеристики терагерцового випромiнювання в околi 100 мкм гарячих носiїв у p-Ge для зразкiв кристалографiчного напрямку (111) i (100) при температурi 5 К i розiгрiваючих електричних полях до 300–600 В/см.

Посилання

V.M. Bondar, P.M. Tomchuk, and G.A, Shepelskii, Phys. Status Solidi B 250, 344 (2013).

https://doi.org/10.1002/pssb.201248316

H. Fritzsche and M. Cuevas, Phys. Rev. 119, 1238 (1960).

https://doi.org/10.1103/PhysRev.119.1238

W.W. Lee and R.J. Sladek, Phys. Rev. 158, 794 (1967).

https://doi.org/10.1103/PhysRev.158.794

A.R. Gadzhiev and I.S. Shlimak, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 6, 1582 (1972).

J. Chroboczek, A. Klokocki, and K. Kopalko, Physica C 7, 3042 (1974).

E.M. Conwell, High Field Transport in Semiconductors (Academic Press, New York, 1967).

B.I. Shklovskii and A.L. Efros, Electronic Properties of Doped Semiconductors (Springer, Berlin, 1984).

https://doi.org/10.1007/978-3-662-02403-4

Опубліковано

2018-10-24

Як цитувати

Bondar, V. M., Pylypchuk, A. S., & Bondarenko, V. V. (2018). Вплив слабкого магнiтного поля на параметри терагерцового випромiнювання в околi 100 мкм гарячими носiями з p-Ge. Український фізичний журнал, 59(9), 884. https://doi.org/10.15407/ujpe59.09.0884

Номер

Розділ

Тверде тіло