Мiкроструктура тонких композитних плiвок Si–Sn

Автор(и)

  • V. B. Neimash Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. M. Poroshin Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • A. M. Kabaldin Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. O. Yukhymchuk V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • P. E. Shepelyavyi V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. A. Makara Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Physics
  • S. Yu. Larkin Public Joint Stock Company “Research and Production Concern Nauka”

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe58.09.0865

Ключові слова:

мiкроструктура тонких композитних плiвок, метод Оже, метод раманiвської спектроскопiї

Анотація

Методами оже та раманiвської спектроскопiї, рентгенiвського флуоресцентного аналiзу та електронної мiкроскопiї дослiджено особливостi мiкроструктури тонких плiвок сплаву Si–Sn, виготовлених термовакуумним спiввипаровуванням Si та Sn. Дослiджено властивостi плiвок з вмiстом Sn в iнтервалi вiд 1 до 5 вагових вiдсоткiв. Встановлено суттєвий вплив олова на формування мiкрорельєфу поверхнi плiвок та нанокристалiв у аморфнiй матрицi. Квазiсферичнi утворення на поверхнi плiвок можуть сягати розмiрiв порядку 100 нм. Частка нанокристалiчної кремнiєвої фази в плiвцi може досягати 90% її об’єму. Проаналiзовано роль умов та швидкостi росту плiвок у розподiлi концентрацiї Sn та технологiчних домiшок С i О по поверхнi та товщинi плiвок.

Посилання

<ol>

<li> Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, and V.D. Rumyantcev, Semiconductors 38, 899 (2004).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1134/1.1787110">https://doi.org/10.1134/1.1787110</a>
</li>
<li> N.S. Lewis, Science 315, 798 (2007).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1126/science.1137014">https://doi.org/10.1126/science.1137014</a>
</li>
<li> M.A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, and W. Warta, Prog. Photovolt. Res. Appl. 19, 84 (2011).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1002/pip.1088">https://doi.org/10.1002/pip.1088</a>
</li>
<li> J. Ahn, K. Jun, and K. Lim, Appl. Phys. Lett. 82, 1718 (2003).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1063/1.1561161">https://doi.org/10.1063/1.1561161</a>
</li>
<li> A.V. Shah, H. Schade, M. Vanesek et al., Prog. Photovolt. Res. Appl. 12, 113 (2004).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1002/pip.533">https://doi.org/10.1002/pip.533</a>
</li>
<li> D. Girginoudi, N. Georgoulas, and F.J. Thanailakis, J. Appl. Phys. 66, 354 (1989).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1063/1.343881">https://doi.org/10.1063/1.343881</a>
</li>
<li> A. Mohamedi, M.L. Th`eye, M. Vergnat, G. Marchal, and M. Piecuch, Phys. Rev. B 39, 3711 (1989).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.39.3711">https://doi.org/10.1103/PhysRevB.39.3711</a>
</li>
<li> G.N. Parsons, J.W. Cook, G. Lucovsky, S.Y. Lin, and M.J. Mantini, J. Vac. Sci. Technol. A 4, 470 (1986).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1116/1.573910">https://doi.org/10.1116/1.573910</a>
</li>
<li> D.L. Williamson, C.R. Kerns, and S.K. Deb, J. Appl. Phys. 55, 2816 (1984).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1063/1.333320">https://doi.org/10.1063/1.333320</a>
</li>
<li> R. Ragan, K.S. Min, and H.A. Atwater, Mater. Sci. Eng. B 87, 204 (2001).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1016/S0921-5107(01)00732-2">https://doi.org/10.1016/S0921-5107(01)00732-2</a>
</li>
<li> A.J. Kurt and N.W. Ashcroft, Phys. Rev. B 54, 14480 (1996).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.54.14480">https://doi.org/10.1103/PhysRevB.54.14480</a>
</li>
<li> M. Vergnat, M. Piecuch, G. Marchal, and M. Gerl, Philos. Mag. B 51, 327 (1985).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1080/13642818508240578">https://doi.org/10.1080/13642818508240578</a>
</li>
<li> S.Yu. Shiryaev, J.L. Hansen, P. Kringhøj, and A.N. Larsen, Appl. Phys. Lett. 67, 2287 (1995).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1063/1.115128">https://doi.org/10.1063/1.115128</a>
</li>
<li> V.V. Voitovych, V.B. Neimash, N.N. Krasko, A.G. Kolosiuk, V.Yu. Povarchuk, R.M. Rudenko, V.A. Makara, R.V. Petrunya, V.O. Juhimchuk, and V.V. Strelchuk, Semiconductors 45, 1281 (2011).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1134/S1063782611100253">https://doi.org/10.1134/S1063782611100253</a>
</li>
<li> C. Claeys, E. Simoen, V.B. Neimash, A. Kraitchinskii, M. Krasko, O. Puzenko, A. Blondeel, and P. Clauws, J. Electrochem. Soc. 148, G738 (2001).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1149/1.1417558">https://doi.org/10.1149/1.1417558</a>
</li>
<li> V.B. Neimash, V.V. Voitovych, A.M. Kraichynskyi, L.I. Shpinar, M.M. Krasko, V.M. Popov, A.P. Pokanevych, M.I. Gorodynskyi, Yu.V. Pavlovskyi, V.M. Tsmots, and O.M. Kabaldin, Ukr. Fiz. Zh. 50, 492 (2005).
</li>
<li> J. Koh, A.S. Ferlauto, P.I. Rovira, R.J. Koval, C.R. Wronski, and R.W. Collins, J. Non-Cryst. Solids 266-269, 43 (2005).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1016/S0022-3093(99)00716-4">https://doi.org/10.1016/S0022-3093(99)00716-4</a>
</li>
<li> E.I. Terukov, V.Kh. Kudoyarova, V.Yu. Davydov et al., Mater. Sci. Eng. B 69-70, 266 (2000).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1016/S0921-5107(99)00306-2">https://doi.org/10.1016/S0921-5107(99)00306-2</a>
</li>
<li> R. Tsu, J. Non-Cryst. Solids 97-98, 163 (1988).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1016/0022-3093(87)90038-X">https://doi.org/10.1016/0022-3093(87)90038-X</a>
</li>
<li> E. Bustarret, M.A. Hachicha, and V. Brunel, Appl. Phys. Lett. 52, 1675 (1978).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1063/1.99054">https://doi.org/10.1063/1.99054</a>
</li>
<li> H. Richter, Z.P. Wang, and L. Ley, Solid State Commun. 39, 625 (1981).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1016/0038-1098(81)90337-9">https://doi.org/10.1016/0038-1098(81)90337-9</a>
</li>
<li> H. Cambell and P.M. Fauchet, Solid State Commun. 58, 739 (1986).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1016/0038-1098(86)90513-2">https://doi.org/10.1016/0038-1098(86)90513-2</a>
</li>
</ol>

Опубліковано

2018-10-11

Як цитувати

Neimash, V. B., Poroshin, V. M., Kabaldin, A. M., Yukhymchuk, V. O., Shepelyavyi, P. E., Makara, V. A., & Larkin, S. Y. (2018). Мiкроструктура тонких композитних плiвок Si–Sn. Український фізичний журнал, 58(9), 865. https://doi.org/10.15407/ujpe58.09.0865

Номер

Розділ

Тверде тіло

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2