Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах

Автор(и)

  • N. M. Litovchenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • D. V. Korbutyak V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • O. M. Strilchuk V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe58.03.0260

Ключові слова:

фотолюмiнесценцiя, квантова яма, екситон, фонон

Анотація

Проведена оцiнка характеристик гетероструктур з одиночною квантовою ямою GaAs/InxGa1 xAs/GaAs з рiзними ростовими параметрами за результатами вимiрювань низькотемпературних спектрiв фотолюмiнесценцiї (ФЛ), з вiдповiдним теоретичним аналiзом. Проаналiзованi експериментально отриманi температурнi залежностi енергiї максимуму смуги ФЛ (hmax), пiвширини (W0) та iнтенсивностi I. Визначено параметри Eph (енергiя локальних фононiв), Eex (енергiя зв’язку екситонiв) та N (фактор Хуанга–Рiс). Проведене зiставлення отриманих значень Eph, Eex та N з ростовими параметрами зразкiв дає пiдставу стверджувати, що найбiльш якiсними є зразки з малим значенням N i одномодовим фононним спектром.

Посилання

<ol>
<li> I.A. Avrutskii, V.A. Sychugov, and B.A. Usievich, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 25, 1787 (1991).</li>
<li> I.A. Avrutskii and V.G. Litovchenko, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 875 (1997).</li>
<li> M.M. Grigoriev, E.G. Gule, A.I. Klimovska, Yu.A. Korus, and V.G. Litovchenko, Ukr. Fiz. Zh. 45, 853 (2000).</li>
<li> I.A. Avrutskii, O.P. Osaulenko, V.G. Plotnichenko, and Yu.N. Pyrkov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 26, 1907 (1992).</li>
<li> H.D. Sun, R. Macaluso, S. Calvez, and M.D. Dawson, J. Appl. Phys. 94, 7581 (2003).&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1063/1.1627950">https://doi.org/10.1063/1.1627950</a></li>
<li> N.V. Kryzhanovskaya, A.Yu. Egorov, V.V. Mamutin, N.K. Polyakov, A.F. Tsatsulnikov, A.R. Kovsh, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 735 (2005).</li>
<li> F.-I. Lai, S.Y. Kuo, J.S. Wang, R.S. Hsiao, H.C. Kuo, J. Chi, S.C. Wang, H.S. Wang, C.T. Liang, and Y.F. Chen, J. Cryst. Growth 291, 27 (2006).&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.02.028">https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.02.028</a></li>
<li> M. Soltani, M. Certier, R. Evrard, and E. Kartheusev, J. Appl. Phys. 78, 5626 (1995).&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1063/1.359686">https://doi.org/10.1063/1.359686</a></li>
<li> S.I. Pekar, Zh. Eksp. Teor. Fiz. 20, 510 (1950).</li>
<li> C.J. Hwang, Phys. Rev. 180, 827 (1969).&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1103/PhysRev.180.827">https://doi.org/10.1103/PhysRev.180.827</a></li>
<li> V.G. Litovchenko, N.L. Dmitruk, D.V. Korbutyak, and A.V. Sarikov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 36, 447 (2002).</li>
<li> V.A. Zuev, D.V. Korbutyak, V.G. Litovchenko, and A.V. Drazhan, Fiz. Tverd. Tela 17, 3300 (1975).</li>
<li> I. Bolesta, Solid State Physics (Lviv, Lviv. Nats. Univ., 2003) (in Ukrainian).</li>
</ol>

Опубліковано

2018-10-06

Як цитувати

Litovchenko, N. M., Korbutyak, D. V., & Strilchuk, O. M. (2018). Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах. Український фізичний журнал, 58(3), 260. https://doi.org/10.15407/ujpe58.03.0260

Номер

Розділ

Наносистеми

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають