Механiзми модифiкацiї профiлiв розподiлу домiшок при мас-спектрометричному аналiзi багатошарових наноструктур

Автор(и)

  • A. A. Efremov V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. G. Litovchenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. P. Melnik V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • O. S. Oberemok V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. G. Popov V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • B. M. Romanyuk V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe60.06.0511

Ключові слова:

моделювання, iонне розпилення, багатошаровi структури, профiлi розподiлу, мас-спектрометрiя

Анотація

Проведено теоретичний аналiз механiзмiв, якi призводять до просторового перерозподiлу компонентiв твердотiльної мiшенi пiд дiєю iонного бомбардування. Виконано моделювання впливу iонно-променевого перемiшування (ion-beam mixing), форми кратера розпилення та шорсткостi поверхнi на результати мас-спектрометричних вимiрювань залежно вiд енергiї розпилюючих iонiв. Показано, що в дiапазонi енергiй iонiв 200–400 еВ вплив згаданих факторiв є мiнiмальним для розпилення багатошарових нанорозмiрних перiодичних структур Mo/Si, виготовлених методом магнетронного напилення шарiв молiбдену i кремнiю. Експериментальнi дослiдження профiлiв розподiлу домiшок i порiвняння їх з результатами моделювання дозволило встановити оптимальнi режими мас-спектрометричного аналiзу, досягти роздiльної здатностi по глибинi краще 1 нм та отримати профiлi розподiлу домiшок, максимально наближенi до реальних.

Посилання

R.G. Wilson, F.A. Stevie, and C.W. Magee, Secondary Ion Mass Spectrometry: A Practical Handbook for Depth Profiling and Bulk Impurity Analysis (Wiley, New York, 1989).

http://www.eag.com.

J.C. Vickerman and D. Briggs, ToF-SIMS: Surface Analysis by Mass Spectrometry (IM Publications, Chichester, UK, 2001).

I.P. Lisovskii, V.G. Litovchenko, V.B. Lozinskii, and V.P. Melnik, Thin Solid Films 247, 264 (1994).

http://dx.doi.org/10.1016/0040-6090(94)90811-7

F. Ludwig, C.R. Eddy, O. Malis, and R.L. Headrick, Appl. Phys. Lett. 81, 2770 (2002).

http://dx.doi.org/10.1063/1.1513655

E. Stumpe, H. Oechsner, and H. Schoof, Appl. Phys. 20, 55 (1979).

http://dx.doi.org/10.1007/BF00901787

S. Berg and I.V. Katardjiev, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 1916 (1999).

http://dx.doi.org/10.1116/1.581704

K.O. Butarev, I.P. Koval', Yu.A.Len', and M.G. Nakhodkin, Nano-Elektron. Fiz. 5, 01025 (2013).

O. Oberemok and P. Lytvyn, Semicond. Phys. Quant. Electr. Optoelectr. 5, 101 (2002).

A. Goriachko, P.V. Melnik, A. Shchyrba, S.P. Kulyk, and M.G. Nakhodkin, Surf. Sci. 605, 1771 (2011).

http://dx.doi.org/10.1016/j.susc.2011.06.004

V. Melnik, A. Misiuk, V. Popov, O. Oberemok, B. Romanyuk, D. Gamov, and P. Formanek, Ukr. J. Phys. 32, 34 (2007).

V. Melnik, D. Wolanski, E. Bugiel, A. Goryachko, S. Chernjavski, and D. Kruger, Mater. Sci. Eng. B 102, 358 (2003).

http://dx.doi.org/10.1016/S0921-5107(02)00619-0

Yu.P. Pershin, V.A. Sevryukova, E.N. Zubarev, A.S. Oberemok, V.P. Melnik, B.N. Romanyuk, V.G. Popov, and P.M. Litvin, Metallofiz. Noveish. Tekhnol. 35, 1617 (2013).

D. Kruger, H. Ruker, B. Heinemann, V. Melnik, R. Kurps, and D. Bolze, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 455 (2004).

http://dx.doi.org/10.1116/1.1632919

A. Romanyuk, P. Oelhafen, R. Kurps, and V. Melnik, Appl. Phys. Lett. 90, 013118 (2007).

http://dx.doi.org/10.1063/1.2430055

D. Kruger, B. Romanyuk, V. Melnik, Ya. Olikh, and R. Kurps, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1448 (2002).

http://dx.doi.org/10.1116/1.1493784

R. Berish, Sputtering by Particle Bombardment (Springer, Berlin, 1981).

http://dx.doi.org/10.1007/3-540-10521-2

N.V. Kostina, Ph.D. thesis (Penza,2003) (in Russian).

A.A. Efremov, Ph.D. thesis (Kyiv, 1989) (in Russian).

E. Chason, P. Bedrossian, K.M. Horn, J.Y. Tsao, and S.T. Picraux, Appl. Phys. Lett. 57, 1793 (1990).

http://dx.doi.org/10.1063/1.104024

P. Bedrossian, J.E. Houston, J.Y. Tsao, E. Chason, and S.T. Picraux, Phys. Rev. Lett. 67, 124 (1991).

http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.67.124

B. Poelsema, L.K. Verheij, and G. Comsa, Phys. Rev. Lett. 53, 2500 (1984).

http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.53.2500

R. Cerapait˙e-Truˇsinskien˙e, and A. Galdikas, Medˇziagotyra ˇ 15, 139 (2009).

UJP 2015 V60 #6uk

Завантаження

Опубліковано

2019-01-17

Номер

Том 60 № 6 (2015)

Розділ

Тверде тіло

Ліцензія

Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна

Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:

1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.

2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.

3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.

4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.

5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.

6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.

Як цитувати

Механiзми модифiкацiї профiлiв розподiлу домiшок при мас-спектрометричному аналiзi багатошарових наноструктур. (2019). Український фізичний журнал, 60(6), 511. https://doi.org/10.15407/ujpe60.06.0511

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають

1 2 > >>