Аналітичні та чисельні розрахунки фотопровідності поруватого кремнію

Автор(и)

  • Л.С. Монастирський Львівський національний університет імені Івана Франка
  • Б.С. Соколовський Львівський національний університет імені Івана Франка
  • М.Р. Павлик Львівський національний університет імені Івана Франка

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe56.9.902

Ключові слова:

-

Анотація

Представлено результати аналітичного та чисельного розрахунків фотопровідності макропоруватого кремнію зі сферичними і циліндричними порами. Проаналізовано залежність фотопровідності від швидкості поверхневої рекомбінації при різних радіусах пор (r0) та середніх відстанях (2R) між ними. Фотопровідність поруватого кремнію зростає при збільшенні відстані між порами і зменшується при зростанні радіуса пор або швидкості поверхневої рекомбінації. Показано, що у випадку малих значень відношень R до r0 між результатами аналітичного розрахунку та чисельного моделювання
методом скінченних елементів існує суттєва різниця, яку зменшено (до 1%) шляхом введення коректуючого коефіцієнта в аналітичний вираз.

Посилання

D.I. Bilenko, O.Yu. Belobrovaya, E.A. Zharikova, D.B. Terin, and E.I. Khasina, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 834 (2005).

https://doi.org/10.1134/1.1992638

A. Bratkowski, F. Korcala, Z. Lukasik, P. Borowski, and W. Bal, Opto-Electron. Rev. 13, 35 (2005).

C. Baratto, G. Faglia, G. Sberveglieri et al., Sensors 2, 121 (2002).

https://doi.org/10.3390/s20300121

S.-J. Kim, J.-Y. Park, S.-H. Lee, and S.-H. Yi, J. Phys. D 33, 1781 (2000).

https://doi.org/10.1088/0022-3727/33/15/305

L. Kaifeng, W. Yumin, Z. Lei et al., Chin. Phys. Lett. 11, 289 (1994).

V.I. Ivanov, L.A. Karachevtseva, N.I. Karas et al., Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron. 10, 72 (2007).

H. Khalili, R.S. Dariani, A. Morteza et al., J. Mater. Sci. 42, 908 (2007).

https://doi.org/10.1007/s10853-006-0010-2

L.S. Monastyrskii, and B.S. Sokolovskii, Prikl. Fiz. 6, 127 (2007).

L.S. Monastyrskii, B.S. Sokolovskii, and V.S. Vasylyshyn, Opt. Mem. Networks 18, 55 (2009).

https://doi.org/10.3103/S1060992X0901010X

A.J. Simons, in Properties of Porous Silicon, edited by L. Canham (INSPEC, London, 1997), p. 176.

O.C. Zienkiewicz, R.L. Taylor, and J.Z. Zhu, The Finite Element Method: Its Basis and Fundamentals (Elsevier Butterworth-Heinemann, Oxford, 2005).

G.N. Watson, Theory of Bessel Functions (Cambridge Univ. Press, Cambridge, 1962).

Опубліковано

2022-02-08

Як цитувати

Монастирський, Л., Соколовський, Б., & Павлик, М. (2022). Аналітичні та чисельні розрахунки фотопровідності поруватого кремнію. Український фізичний журнал, 56(9), 902. https://doi.org/10.15407/ujpe56.9.902

Номер

Розділ

Тверде тіло

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають