Люмінесцентні властивості приповерхневих напівпровідникових шарів та квантових надґраток

Автор(и)

  • В.Г. Литовченко Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
  • Д.В. Корбутяк Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe56.10.1072

Ключові слова:

-

Анотація

Наведено нові результати люмінесцентних досліджень квантових надґраток (НҐ) GaAs/AlAs I-го та ІІ-го роду, а також меж поділу гетероструктур GaAs/AlAs з використанням імпульсних фемтосекундних джерел збудження. Проаналізовано особливості кінетики фотолюмінесценції НҐ GaAs/AlAs з різними ширинами квантових ям (GaAs) та бар'єрів (AlAs). При високих рівнях збудження у квазіпрямозонних НҐ формується електронно-діркова плазма, концентрація носіїв заряду в якій більш ніж на порядок перевищує відповідне значення для об'ємних кристалів GaAs. Дослідження спектрів спонтанного та вимушеного випромінювання електронно-діркової плазми в НҐ GaAs/AlAs дозволило розрахувати спектри коефіцієнтів оптичного підсилення залежно від густини оптичної накачки в області нелінійних ефектів.

Посилання

S. Nihonyanagi and Y. Kanemitsu, Appl. Phys. Lett. 85, 5721 (2004).

https://doi.org/10.1063/1.1829161

D.W. Wang and S. Das Sarma, Phys. Rev. B 64, 195313 (2001).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.64.193307

P. Denk and J.L. Pelouard, Phys. Rev. B 63, 041304 (2001).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.63.041304

Yu.E. Lozovik, O.L. Berman, and M. Willander, J. Phys: Condens. Matter. 14, 12457 (2002).

https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/47/319

V.I. Sugakov, Ukr. Fiz. Zh. 56, 492 (2011).

https://doi.org/10.1524/slaw.2011.0048

M.V. Bondar and M.S. Brodin, Ukr. Fiz. Zh. 55, 1035 (2010).

G.F. Karavaev et al., Fizika 53, 45 (2010).

V.G. Lytovchenko and D.V. Korbutyak, Surf. Sci. 170, 671 (1986).

https://doi.org/10.1016/0039-6028(86)91038-1

D.V. Korbutyak and V.G. Lytovchenko, Fiz. Tverd. Tela 23, 1411 (1981).

M.S. Brodin, I.V. Blonsky, and M.I. Strashnikova, Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 22, 516 (1975).

M.S. Brodin, I.V. Blonsky, and V.V. Tishchenko, Fiz. Tverd. Tela 25, 1640 (1979).

D.V. Korbutyak, S.G. Krylyuk, and V.G. Lytovchenko, Ukr. Fiz. Zh. 43, 119 (1998).

L. Pavesi and M. Guzzi, J. Appl. Phys. 75, 4779 (1994).

https://doi.org/10.1063/1.355769

R. Baltrameyunas, E. Gerazimas, D.V. Korbutyak, Yu.V. Kryuchenko, E. Kuokshtis, and V.G. Lytovchenko, Fiz. Tverd. Tela 30, 2020 (1988).

A. Forchel, H. Schweizer, and G. Mahler, Phys. Rev. Lett. 51, 501 (1983).

https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.51.501

R.W. Martin and H.L. Störmev, Sol. St. Commn. 22, 523 (1977).

https://doi.org/10.1016/0038-1098(77)91406-5

C. Klingshirn and H. Haug, Phys. Rev. B 70, 315 (1981).

https://doi.org/10.1016/0370-1573(81)90190-3

E. Zielinski, E., H. Schweizer, S. Hausser, R. Stuber, M.N. Pilkuhn, and G. Wiemann, IEEE J. Quant. Electr. QE-23, 969 (1987).

https://doi.org/10.1109/JQE.1987.1073463

R. Cigolani, K. Ploog, A. Cingolani, C. Moro, and M. Ferrara, Phys. Rev. B 42, 2893 (1990).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.42.2893

Опубліковано

2022-02-06

Як цитувати

Литовченко, В., & Корбутяк, Д. (2022). Люмінесцентні властивості приповерхневих напівпровідникових шарів та квантових надґраток. Український фізичний журнал, 56(10), 1072. https://doi.org/10.15407/ujpe56.10.1072

Номер

Розділ

Наносистеми

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають