Модифікація оптичних властивостей пористих шарів напівпровідників AIIIBV, отриманих методом анодного травлення
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe57.2.145Ключові слова:
-Анотація
Дослідження морфології поверхні (за допомогою атомно-силової мікроскопії (АСМ) та скануючої електронної мікроскопії (СЕМ)), комбінаційного розсіювання світла (КРС) та фотолюмінесценції (ФЛ) проведено з метою охарактеризувати серію матеріалів типу AIIIBV (GaAs, GaP, InP) з пористою поверхнею, отриманою за допомогою методу електрохімічного травлення. Було показано, що морфологія поверхні пористих шарів сполук AIIIBV суттєво залежить від різних параметрів процесу анодування, таких як час травлення, щільність струму, склад розчину травника і наявність освітлення під час травлення. Підсилення сигналу в спектрах КРС від пористої поверхні спостерігається майже у всіх досліджених зразках, що пояснюється, головним чином, порушенням правил відбору для відповідних фононних мод і зменшенням відбивання від пористої поверхні. Особливості спектрів ФЛ пористих сполук AIIIBV вивчались в широкому температурному діапазоні. Для пористих поверхонь GaAs і InP спостерігався незначний квантово-розмірний ефект.
Посилання
N.L. Dmitruk and V.I. Lyashenko, Fiz. Tverd. Tela 8, 578 (1966).
L. Santinacci and T. Djenizian, C.R. Chimie 11, 964 (2008).
https://doi.org/10.1016/j.crci.2008.06.004
H. Föll, S. Langa, J. Carstensen, M. Christophersen, and I.M. Tiginyanu, Adv. Mater. 15, 183 (2003).
https://doi.org/10.1002/adma.200390043
I. Tiginyanu, S. Langa, H. Föll, and V. Ursachi, Porous III-V Semiconductors: Online Book (2009), http://www.porous-35.com/index.html.
N.L. Dmitruk, T.R. Barlas, and E.V. Pidlisnyi, Surf. Sci. 293, 107 (1993).
https://doi.org/10.1016/0039-6028(93)90248-I
N.L. Dmitruk, N.V. Kotova, E.V. Podlisnyi, and T.R. Barlas, Phys. Solid State 35, 8 (1993).
.N.L. Dmitruk, O.Yu. Borkovskaya, I.B. Mamontova, and S.V. Mamykin, Sol. Energ. Mat. Sol. C 60, 379 (2000).
https://doi.org/10.1016/S0927-0248(99)00090-2
P.H.L. Notten, J.E.A.M. van den Meerakker, and J.J. Kelly, Etching of III-V Semiconductors: An Electrochemical Approach (Elsevier, Oxford, 1991).
J. Sabataityte, I. Simkiene, A.N. Baranov, R. A. Bendorius, and V. Pacebutas, Mater. Sci. Eng. C 23, 43 (2003).
J. Sabataityte, I. Simkiene, R.-A. Bendorius, K. Grigoras, V. Jasutis, V. Pacebutas, H. Tvardauskas, and K. Naudzius, Mater. Sci. Eng. C 19, 155 (2002).
D.J. Lockwood, P. Schmuki, H.J. Labbe, and J.W. Fraser, Physica E 4, 102 (1999).
https://doi.org/10.1016/S1386-9477(98)00259-8
C.M. Finnie and P.W. Bohn, J. Appl. Phys. 86, 4997 (1999).
https://doi.org/10.1063/1.371470
D.J. Lockwood, J. Solut. Chem. 29, 1039 (2000).
https://doi.org/10.1023/A:1005199104055
N. Dmitruk, S. Kutovyi, I. Dmitruk, I. Simkiene, J. Sabataityte, and N. Berezovska, Sensors Actuat. B - Chem. 126, 294 (2007).
https://doi.org/10.1016/j.snb.2006.12.027
N. Dmitruk, T Barlas, I. Dmitruk, S. Kutovyi, N. Berezovska, J. Sabataityte, and I. Simkiene, Phys. Status Solidi B 247, 955 (2010).
https://doi.org/10.1002/pssb.200945167
R.W. Tjerkstra, Electrochem. Solid-State Lett. 9, C81 (2006).
https://doi.org/10.1149/1.2183889
Shu-Lin Zhang, Yongtian Hou, Kuok-San Ho, Bidong Qian, and Shengmin Cai, J. Appl. Phys. 72, 4469 (1992).
https://doi.org/10.1063/1.352178
D.J. Lockwood, Guolin Yu, and N.L. Rowell, Solid State Commun. 136, 404 (2005).
https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.08.030
O. Madelung, Semiconductors: Group IV Elements and III-V Compounds (Springer, Berlin, 1991).
N.L. Dmitruk, A.V. Goncharenko, and E.F. Venger, Optics of Small Particles and Composite Media (Naukova Dumka, Kyiv, 2009).
Y.J. Chen, E. Barstein, and D.L. Mills, Phys. Rev. Lett. 34, 1516 (1975).
https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.34.1516
A. Liu and C. Duan, Physica E 9, 723 (2001).
https://doi.org/10.1016/S1386-9477(00)00203-4
G. Irmer, J. Raman Spectrosc. 38, 634 (2007).
https://doi.org/10.1002/jrs.1703
Y. Kayanuma, Phys. Rev. B 38, 9797 (1988).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.38.9797
S. Adachi, Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds: InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP (Wiley, New York, 1992).
https://doi.org/10.1002/352760281X
A. Liu and C. Duan, Solid-State Electron. 45, 2089 (2001).
https://doi.org/10.1016/S0038-1101(01)00200-3
G. Su, Q. Guo, and R.E. Palmer, J. Appl. Phys. 94, 7598 (2003).
https://doi.org/10.1063/1.1628836
H. Hasegawa and T. Sato, Electrochim. Acta 50, 3015 (2005).
https://doi.org/10.1016/j.electacta.2004.11.066
A.A. Sitnikova, A.V. Bobyl, S.G. Konnikov, and V.P. Ulin, Semicond. 39, 523 (2005).
https://doi.org/10.1134/1.1923558
D.N. Goryachev, L.V. Belyakov, and O.M. Sreseli, Semicond. 44, 1588 (2010).
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
