Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001)

Автор(и)

  • О.А. Гринчук Київський національний університет імені Тараса Шевченка
  • Т.В. Афанас'єва Київський національний університет імені Тараса Шевченка
  • І.П. Коваль Київський національний університет імені Тараса Шевченка
  • М.Г. Находкін Київський національний університет імені Тараса Шевченка

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe57.3.355

Ключові слова:

-

Анотація

За допомогою розрахунків із перших принципів якісно розглянуто адсорбцію молекули O2 на поверхню Si1–xGex/Si(001) та визначено стабільні адсорбційні конфігурації молекулярного кисню. O2 недисоціативно хемадсорбуються на поверхню Si1–xGex/Si(001). У випадку, коли поверхня
Si1–xGex/Si(001) представлена чистими Si–Si та змішаними Si–Ge аддимерами, адсорбція молекул O2 проходить без подолання бар'єра. У випадку, коли поверхня представлена чистими Ge–Ge аддимерами, бар'єр для адсорбції не перевищує 0,1 еВ. Адсорбція молекули O2 супроводжується зміною спінового стану системи з триплетного на синглетний та зменшенням хімічної активності поверхні.

Посилання

T. Fukuda and T. Ogino, Surf. Sci. 380, 469 (1997).

https://doi.org/10.1016/S0039-6028(97)00017-4

B.A. Ferguson et al., J. Chem. Phys. 110, 11574 (1999).

https://doi.org/10.1063/1.478005

E.R. Behringer et al., J. Chem. Phys. 99, 12863 (1995).

T. Miyake et al., Phys. Rev. B 42, 11801 (1990).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.42.11801

M.P. D'evelyn et al., Surf. Sci. 186, 75 (1987).

M.L. Yu and B.N. Eldbridge, Phys. Rev. Lett. 59, 1691 (1987).

https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.59.1691

U. Memmert and M.L. Yu, Surf. Sci. Lett. 245, L186 (1991).

https://doi.org/10.1016/0167-2584(91)90766-K

J. Dabrowski and H.-J. Müssig, Silicon Surface and Formation of Interfaces (World Scientific, Singapore, 2000).

https://doi.org/10.1142/3615

K. Kim and K.D. Jordan, J. Phys. Chem. 98, 10089 (1994).

https://doi.org/10.1021/j100091a024

F. Jensen, Introduction to Computational Chemistry (Wiley, New York, 1999).

J.R. Shoemaker, L.W. Burgraff, M.S. Gordon et al., J. Phys. Chem. A 103, 3245 (1999).

https://doi.org/10.1021/jp982600e

M.W. Schmidt, K.K. Baldridge, J.A. Boatz et al., J. Comput. Chem. 14, 134 (1993).

https://doi.org/10.1002/jcc.540141112

T.V. Afanasieva, A.A. Greenchuck, I.P. Koval et al., Ukr. J. Phys. 56, 240 (2011).

P. Pulay and T.P. Hamilton, J. Chem. Phys. 88, 4926 (1988).

https://doi.org/10.1063/1.454704

X.L. Fan et al., Phys. Rev. Lett. 94, 016101 (2005).

G. Herzberg, Spectra of Diatomic Molecules (Van Nostrand, New York, 1950).

M. Yata, Phys. Rev. B 81, 205402 (2010). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.205402

Опубліковано

2012-03-30

Як цитувати

Гринчук, О., Афанас’єва, Т., Коваль, І., & Находкін, М. (2012). Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001). Український фізичний журнал, 57(3), 355. https://doi.org/10.15407/ujpe57.3.355

Номер

Розділ

Тверде тіло

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають