Вплив високотемпературного вiдпалу на структуру та край власного поглинання тонкоплiвкового кремнiю, легованого оловом

Автор(и)

  • R. M. Rudenko Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Physics
  • V. V. Voitovych Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • M. M. Kras’ko Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • A. G. Kolosyuk Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • A. M. Kraichynskyi Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. O. Yukhymchuk V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. A. Makara Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Physics

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe58.08.0769

Ключові слова:

тонкоплiвковий кремнiй, легування оловом, кристалiзацiя, оптична заборонена зона, iзохронний вiдпал

Анотація

Дослiджено вплив iзохронного вiдпалу в дiапазонi 350–1100 oС на структурнi властивостi та край власного поглинання тонких плiвок кремнiю, легованих оловом (a-SiSn). Отримано, що у структурi a-SiSn (олова ~4 ат. %), на вiдмiну вiд нелегованого a-Si, зразу пiсля осадження присутнi нанокристали кремнiю (розмiр кристалiтiв ~4 нм, частка кристалiчної фази ~65%). Показано, що iзохронний вiдпал a-SiSn в дiапазонi 350–1100 oС поступово збiльшує розмiри нанокристалiв кремнiю в аморфнiй матрицi до ~7 нм, а частку кристалiчної фази до ~100%. Кристалiзацiя нелегованого оловом a-Si починається лише при температурах вiдпалу бiльше 700 oС. Проаналiзовано вплив олова на оптичну ширину забороненої зони a-Si залежно вiд температури iзохронного вiдпалу.

Посилання

<ol>

<li> V.P. Afanasiev, A.S. Gudovskikh, A.Z. Kazak-Kazakevich, A.P. Sazanov, I.N. Trapeznikova, and E.I. Terukov, Semiconductors 38, 221 (2004).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1134/1.1648381">https://doi.org/10.1134/1.1648381</a>
</li>
<li> A.V. Shah, H. Schade, M. Vanecek, J. Meier, E. VallatSauvain, N. Wyrsch, U. Kroll, C. Droz, and J. Bailat, Prog. Photovolt. Res. Appl. 12, No. 23, 113 (2004).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1002/pip.533">https://doi.org/10.1002/pip.533</a>
</li>
<li> M. Vergant, G. Marchal, and M. Piecuch, Rev. Phys. Appl. 22, 1803 (1987).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1051/rphysap:0198700220120180300">https://doi.org/10.1051/rphysap:0198700220120180300</a>
</li>
<li> M. Jeon, H. Uchiyama, and K. Kamisako, Mater. Lett. 63, 246 (2009).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1016/j.matlet.2008.10.005">https://doi.org/10.1016/j.matlet.2008.10.005</a>
</li>
<li> R.S. Wagner and W.C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1063/1.1753975">https://doi.org/10.1063/1.1753975</a>
</li>
<li> J.A. Schmidt, N. Budini, P. Rinaldi, R.D. Arce, and R.H. Buitrago, J. Phys. Conf. Ser. 167, ID 012046 (2009).
</li>
<li> V.V. Voitovych, V.B. Neimash, N.N. Krasko, A.G. Kolosiuk, V.Y. Povarchuk, R.M. Rudenko, V.A. Makara, R.V. Petrunya, V.O. Juhimchuk, and V.V. Strelchuk, Semiconductors 45, 1281 (2011).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1134/S1063782611100253">https://doi.org/10.1134/S1063782611100253</a>
</li>
<li> A.V. Vasin, A.V. Rusavsky, V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, V.I. Kushnirenko, S.P. Starik, and V.G. Stepanov, Semiconductors 39, 572 (2005).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1134/1.1923567">https://doi.org/10.1134/1.1923567</a>
</li>
<li> P. Mishra and K.P. Jain, Phys. Rev. B. 64, 073304 (2001).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.64.073304">https://doi.org/10.1103/PhysRevB.64.073304</a>
</li>
<li> H. Campbell and P.M. Fauchet, Solid State Commun. 58, 739 (1986).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1016/0038-1098(86)90513-2">https://doi.org/10.1016/0038-1098(86)90513-2</a>
</li>
<li> S.V. Gajsler, O.I. Semenova, R.G. Sharafutdinov, and B.A. Kolesov, Phys. Solid State 46, 1528 (2004).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1134/1.1788789">https://doi.org/10.1134/1.1788789</a>
</li>
<li> J. Tauc, R. Grigorovici, and A. Vancu, Phys. Status Solidi 15, 627 (1966).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1002/pssb.19660150224">https://doi.org/10.1002/pssb.19660150224</a>
</li>
<li> G.D. Cody, T. Tiedje, B. Abeles, T.D. Moustakas, B. Brooks, and Y. Goldstein, J. Phys. (Paris) 42 (C4), 301 (1981).
</li>
<li> G.P. Kuz'min, M.E. Karasev, E.M. Khokhlov, N.N. Kononov, S.B. Korovin, V.G. Plotnichenko, S.N. Polyakov, V.I. Pustovoy, and O.V. Tikhonevitch, Laser Physics 10, 939 (2000).
</li>
<li> S. Roorda, S. Doorn, W.C. Sinke, P.M.L.O. Scholte, and E. van Loenen, Phys. Rev. Lett. 62, 1880 (1989).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.62.1880">https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.62.1880</a>
</li>
<li> Y.M. Niquet, C. Delerue, G. Allan, and M. Lannoo, Phys. Rev. B 62, 5109 (2000).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.62.5109">https://doi.org/10.1103/PhysRevB.62.5109</a>
</li>

</ol>

Опубліковано

2018-10-10

Як цитувати

Rudenko, R. M., Voitovych, V. V., Kras’ko, M. M., Kolosyuk, A. G., Kraichynskyi, A. M., Yukhymchuk, V. O., & Makara, V. A. (2018). Вплив високотемпературного вiдпалу на структуру та край власного поглинання тонкоплiвкового кремнiю, легованого оловом. Український фізичний журнал, 58(8), 769. https://doi.org/10.15407/ujpe58.08.0769

Номер

Розділ

Тверде тіло