Вплив домiшки олова на деградацiю провiдностi в n-кремнiї при електронному опромiненнi

Автор(и)

  • M. M. Kras’ko Institute of Physics, Nat. Acad. Sci. of Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe58.03.0243

Ключові слова:

кремнiй, електронне опромiнення, iзовалентна домiшка олова

Анотація

Експериментально дослiджено та проаналiзовано вплив iзовалентної домiшки олова на змiну концентрацiї вiльних електронiв у n-Si, вирощеному за методом Чохральського (Cz), опромiненому електронами з енергiєю 1 МеВ. Встановлено, що домiшка олова прискорює деградацiю провiдностi в опромiненому n-Si. Показано, що це прискорення є значним у бiльш високоомних зразках, а у низькоомних зразках швидкостi видалення вiльних електронiв в обох матерiалах майже зрiвнюються. Цей факт пояснюється вiдмiннiстю у ефективностях утворення основних компенсуючих радiацiйних дефектiв у n-Si з Sn (комплексiв SnV i VР) та n-Si без Sn (головним чином комплексiв VР) залежно вiд концентрацiї фосфору в зразках.

Завантаження

Опубліковано

2018-10-06

Номер

Розділ

Тверде тіло

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають