Кореляція між фотолюмінесцентними та фотоелектричними властивостями ZnO, легованого Mn

Автор(и)

  • N. O. Korsunska Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
  • I. V. Markevich Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
  • T. R. Stara Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
  • L. V. Borkovska Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
  • S. Lavoric Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
  • L. Yu. Melnichuk Ніжинський державний університет імені Миколи Гоголя
  • O. V. Melnichuk Mykola Gogol State University of Nizhyn

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe63.7.660

Ключові слова:

оксид цинку, Mn2, фотолюмiнесценцiя, фотопровiднiсть

Анотація

Дослiджено керамiку ZnO, нелеговану та леговану марганцем. Концентрацiя марганцю змiнювалась вiд 1019 дo 1021 см−3. Вимiрювались спектри фотолюмiнесценцiї (ФЛ), дифузного вiдбивання та фотопровiдностi (ФП). У легованих зразках спостерiгалось гасiння самоактивованого випромiнювання, а також поява поглинання свiтла та ФП у спектральнiй областi 400–600 нм. Одночасно спостерiгалась поява смуги слабкої ФЛ з положенням 645 нм, пов’язаної з внутрiшньоцентровими переходами в центрах Mn2+Zn. На пiдставi аналiзу одержаних результатiв ефект гасiння було приписано перепоглинанню самоактивованого випромiнювання ZnO йонами Mn. Запропоновано схему електронних переходiв, що дозволяє пояснити низьку iнтенсивнiсть випромiнювання, пов’язаного з Mn.

Завантаження

Опубліковано

2018-08-02

Номер

Розділ

Напівпровідники і діелектрики

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають