Моделювання процесу росту оксиду на поверхні при дифузії в тонких плівках в умовах дії “кисневого насоса”
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe55.9.1004Ключові слова:
-Анотація
Запропоновано моделі, які дозволяють прогнозувати кінетику росту оксиду на поверхні тонких плівок. Вважають, що у двошаровій системі матеріал "нижнього" шару дифундує по границях зерен матеріалу "верхнього" шару і реакція його окислення на зовнішній поверхні створює додаткову рушійну силу дифузії. Кількість дифузанта, яка витрачається на утворення оксиду, не бере далі участі у процесі масоперенесення, тому градієнт концентрації не знижується. За умов додаткового впливу "кисневого насоса" на поверхні тонких плівок рушійна сила процесу, зумовлена градієнтом концентрації, продовжує діяти достатньо довго. Процес росту оксиду міді на поверхні шару нікелю в двошаровій системі Cu/Ni розглянуто з урахуванням різних механізмів дифузії міді – об'ємної крізь оксид, поверхневої вздовж міжфазної границі "метал–оксид", по потрійних стиках границь зерен, а також за комбінованим механізмом – поверхневої та об'ємної дифузії. Встановлено, що механізм дифузії суттєво впливає на форму та розмір оксидного шару, а також на його ефективну товщину. Проаналізовано вплив параметрів масоперенесення на ефективний показник росту оксиду.
Посилання
M.А. Vasylyev, S.I. Sidorenko, Diffusion and Surface Segregation (Ministry of Education of Ukraine, Kyiv, 1999).
S.I. Sidorenko, Yu.N. Makogon, and S.M. Voloshko, Materials Science of Thin-Film Nanostructures. Diffusion and Reactions (Naukova Dumka, Kyiv, 2000) (in Russian).
S.I. Sidorenko, D.L. Beke, and A.A. Kikineshi, Materials Science of Nanostructures (Naukova Dumka, Kyiv, 2002).
S.I. Sidorenko, Yu.N. Makogon, and S.M. Voloshko, Actual Problems of Thin-Film Materials Science (Naukova Dumka, Kyiv, 2009) (in Russian).
S.M. Voloshko, S.I. Sidorenko, Yu.V. Cherkashchenko, and G.V. Lutsenko, Metallofiz. Nov. Tekhn. 20, 7 (1999).
B.S. Bokshtein, S.Z. Bokshtein, and A.A. Zhukhovitskii, Thermodynamics and Kinetics of Diffusion in Solids (Metallurgiya, Moscow, 1974) (in Russian).
A. M. Gusak and M. V. Yarmolenko, J. of Appl. Phys. 73, 10 (1993).
L. Klinger, Y. Brechet, and G. Purdy, Acta Mater. 46, 8 (1998).
G. Lucenko and A. Gusak, Microelectr. Eng. 70 (2003).
M.O. Pasichnyi and A.M. Gusak, Metallofiz. Nov. Tekhn. 20, 7 (1999) .
J.C. Fisher, J. of Appl. Phys. 27, 8 (2005).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
