Механізми масопереносу індію в CdTe при дії наносекундних лазерних імпульсів
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe56.2.168Ключові слова:
-Анотація
Розглянуто механізми імпульсного лазерного твердофазного легування CdTe індієм при створенні діодних структур для детекторів рентгенівського і гамма-випромінювання. Показано, що масоперенос індію в CdTe при наносекундному лазерному опроміненні структури Іn–CdTе до порога плавлення CdTe відбувається за механізмом бародифузії – внаслідок значного градієнта напружень. Розраховано коефіцієнти масопереносу індію та оцінено середню дрейфову швидкість
переміщення атомів Іn в CdTe під час опромінення наносекундним імпульсом ексимерного лазера структури Іn–CdTe з товщиною плівки Іn 30 нм при оптимальному для легування значенні густини енергії E = 100 мДж/см2.
Посилання
V.A. Gnatyuk, T. Aoki, and Y. Hatanaka, Appl. Phys. Lett. 88, 242111 (2006).
https://doi.org/10.1063/1.2213511
O.I. Vlasenko, V.A. Gnatyuk, S.M. Levyts'kyi, and T. Aoki, Patent No. 41216, Ukraine; Bull. No. 9 (2009).
A. Yu. Bonchik, S.G. Kyyak, G.N. Mikhailova, A.V. Pokhmurskaya, and G.V. Savitskii, Kvant. Elektr. 22, 95 (1995).
K.K. Jamanbalin and A.G. Dmitriev, Fiz. Tekhn. Polupr. 24, 2024 (1990).
N.K. Zelenina and O.A. Matveev, Pis'ma Zh. Tekhn. Fiz. 24, 1 (1998).
https://doi.org/10.1134/1.1262136
I.M. Budzulyak, O.I. Danilovich, M.I. Zbykovskaya, I.V. Omanchukovskaya, and O.E. Panchuk, Izv. AN SSSR. Ser. Fiz. 49, 765 (1985).
V.P. Veleshchuk, A. Baidullaeva, A.I. Vlasenko, V.A. Gnatyuk, B.K. Dauletmuratov, S.N. Levitskii, O.V. Lyashenko, and Т. Aoki, Fiz. Tekhn. Polupr. 52, 439 (2010).
https://doi.org/10.1134/S1063783410030054
V.P. Voronkov and G.A. Gurchenok, Fiz. Tekhn. Polupr. 24, 1831 (1990).
J. Manning, Diffusion Kinetics for Atoms in Crystals (Van Nostrand, Princeton, 1968).
https://doi.org/10.1119/1.1974325
D.S. Gertsriken, V.F. Mazanko, V.M. Tyshkevich, and V.M. Fal'chenko, Mass Transfer in Metals at Low Temperatures under External Stresses (RIO IMF, Kiev, 1999) (in Russian).
D.S. Gertsriken, V. F. Mazanko, and V. M. Fal'chenko, Pulsed Treatment and Mass Transfer in Metals at Low Temperatures (Naukova Dumka, Kiev, 1991) (in Russian).
M.E. Gurevich, A.F. Zhuravlyov, L.N. Larikov, V.G. Novitskii, and A.E. Pogorelov, Metallofiz. 3, 108 (1981).
M.E. Gurevich, L.N. Larikov, V.F. Mazanko, A.E. Pogorelov, and V.M. Fal'chenko, Fiz. Khim. Obrab. Mater. No. 2, 7 (1977).
L.N. Larikov, V.F. Mazanko, A.I. Nosar', and V.M. Fal'chenko, Ukr. Fiz. Zh. 22, 1518 (1977).
V.M. Mironov, V.F. Mazanko, D.S. Gertsriken, and A.V. Filatov, Mass Transfer and Phase Formation in Metals under Pulsed Treatment (Samara University, Samara, 2001) (in Russian).
V.M. Mironov, O.A. Mironova, L.A. Mitlina, D.S. Gertsriken, and A.I. Ignatenko, Fiz. Khim. Obrab. Mater. No. 4, 77 (2006).
https://doi.org/10.4213/tmf2010
G.A. Sukach, Fiz. Tekhn. Polupr. 31, 753 (1997).
https://doi.org/10.1134/1.1187235
V.B. Fiks, Ion Conductivity in Metals and Semiconductors (Electrotransfer ) (Nauka, Moscow, 1969) (in Russan).
B.M. Mogilevskii and A.F. Chudnovskii, Heat Conductivity of Semiconductors (Nauka, Moscow, 1972) (in Russian).
A.N. Bekrenev and G.N. Epshtein, Postdeformation Processes of High-Speed Loading (Metallurgiya, Moscow, 1992) (in Russian).
V.A. Putilin, A.M. Shterenberg, A.V. Kamashev, and A.I. Krestelev, Vestn. Samar. Gos. Tekhn. Univ., Ser. Fiz.-Mat. Nauki, No.9, 190 (2000).
https://doi.org/10.14498/vsgtu49
Ya.G. Panovko, Fundamentals of Applied Theory of Vibrations and Shock (Librokom, Moscow, 2010) (in Russian).
V.F. Mazanko and A.E. Pogorelov, Metallofiz. 4, 108 (1984).
V.A. Putilin and A.M. Shterenberg, Vestn. Samar. Gos. Tekhn. Univ., Ser. Fiz.-Mat. Nauki, No. 27, 157 (2004).
https://doi.org/10.14498/vsgtu294
A.N. Bekrenev, A.V. Kamashev, and V.A. Putilin, Pis'ma Zh. Tekhn. Fiz. 19, 14 (1993).
A.E. Pogorelov, K.P. Ryaboshapka, and A.F. Zhuravlyov, J. Appl. Phys. 92, 5766 (2002).
https://doi.org/10.1063/1.1512972
V.M. Mironov, T.F. Mironova, Yu.N. Koval', D.S. Gertsriken, and V.V. Alekseeva, Vestn. Samar. Gos. Tekhn. Univ., Ser. Estestv. Nauk. No. 3, 134 (2006).
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
