Вплив одновісного тиску на низькочастотну дисперсію діелектричної проникності у високоомних кристалах GaSe
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe56.3.267Ключові слова:
-Анотація
Проведено дослідження низькочастотної діелектричної проникності високоомних кристалів GaSe на частотах до 100 кГц з використанням блокуючих для носіїв електричного заряду (ізолюючих) контактів. Вимірювання проводили при прикладанні до зразка невеликого одновісного тиску в межах до 2,4 · 105 Па вздовж осі c, нормальної до площини шарів кристала. Встановлено, що діелектричний спектр високоомних кристалів GaSe з блокуючими електродами підлягає
універсальному степеневому закону ~ωn–1, де ω – кутова частота, n ≈ 0,8, який раніше спостерігали на високоомних зразках з контактами з наплавленого індію. Однакова форма діелектричного спектра на кристалах з різними типами контактів (омічними та блокуючими) підтверджує об'ємний характер спостережуваного явища поляризації, яке пов'язується з стрибкоподібним переміщенням квазілокалізованих носіїв електричного заряду. Встановлено, що діелектрична проникність лінійно зростає з величиною прикладеного одновісного тиску з коефіцієнтом Δϵ/(ϵΔp) = 8 · 10–7 Па–1. Спостерігається незначне збільшення показника степеня 1 – n при збільшенні тиску, що приводить до посилення дисперсії діелектричної проникності. Значна залежність низькочастотної діелектричної проникності від одновісного тиску в високоомних кристалах GaSe пов'язується з формуванням утворень диполів, обертання яких еквівалентні стрибкам локалізованих носіїв електричного заряду.
Посилання
J.C.J.M. Terhell and R.M.A. Lieth , Phys. Stat. Sol. A 10, 529 (1972).
https://doi.org/10.1002/pssa.2210100222
J.L. Brebner, S. Jandl, and B.M. Powell, Solid State Commun. 13, 1555 (1973).
https://doi.org/10.1016/0038-1098(73)90235-4
A.I. Balitskii, A.S. Krochuk, I.M. Stakhira, and A.V. Franiv, Fiz. Tverd. Tela 24, 76 (1982).
R.H. Bube and E.L. Lind, Phys. Rev. 115, 1159 (1959).
https://doi.org/10.1103/PhysRev.115.1159
A.G. Kyazym-zade, R.N. Mekhtieva and A.A. Akhmedov, Sov. Phys.-Semicond., 25, 840 (1991).
D. Errandonea, A. Segura, F.J. Manjon, A. Chevy, E. Machado, G. Tobias, P. Ordejon, and E. Canadell, Phys. Rev. B 71, 125206 (2005).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.71.125206
O. Fl'unt, A. Jonscher, J. Stakhira, in Proceed. of the Int. Conference on Dielectric and Related Phenomena, Bialsko-Biala, Poland, 1998, p. 134.
A.G. Yakovenko, E.A. Shelonin, V.I. Fistul', Fiz. Tekhn. Polupr. 17, 345 (1983).
L.G. Meiners, J. Appl. Phys. 59, 1611 (1986).
https://doi.org/10.1063/1.336472
A.K. Jonscher, J. Phys. D: Appl. Phys. 32, R57 (1999).
https://doi.org/10.1088/0022-3727/32/14/201
A.K. Jonscher, Universal Relaxation Law (Chelsea Diel. Press, London, 1996).
K. Maschke and H. Overhof, Phys. Rev. B 15, 2058 (1977).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.15.2058
S. Nusse, P. Haring Bolivar, H. Kurz, V. Klimov, and F. Levy, Phys. Stat. Sol. (b) 204, 98 (1997).
https://doi.org/10.1002/1521-3951(199711)204:1<98::AID-PSSB98>3.0.CO;2-G
K. Seeger, Semiconductor Physics (Springer, Berlin, 1999).
https://doi.org/10.1007/978-3-662-03797-3
M. Gauthier, A. Polian, J.M. Besson, and A. Chevy, Phys. Rev. B 40, 3837 (1989).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.40.3837
L. Dissado, in Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials, edited by S. Kasap and P. Capper (Springer, New York, 2006).
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
