Особливості впливу умов вирощування на структурні і оптичні властивості плівок Zn0,9Cd0,1O

І.І. Штеплюк; Г.В. Лашкарьов; В.В. Хомяк; О.С. Литвин; П.Д. Мар’янчук; І.І. Тімофєєва; А.І. Євтушенко; В.Й. Лазоренко

doi:10.15407/ujpe57.6.653

Особливості впливу умов вирощування на структурні і оптичні властивості плівок Zn0,9Cd0,1O

Автор(и)

І.І. Штеплюк Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича НАН України
Г.В. Лашкарьов Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича НАН України
В.В. Хомяк Чернівецький національний університет ім. Федьковича
О.С. Литвин Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
П.Д. Мар’янчук Чернівецький національний університет ім. Ю.Федьковича
І.І. Тімофєєва Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича НАН України
А.І. Євтушенко Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича НАН України
В.Й. Лазоренко Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича НАН України

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe57.6.653

Ключові слова:

Анотація

Досліджено вплив потужності магнетрона і співвідношення тисків робочих газів Ar/O₂ на мікроструктуру та оптичні властивості плівок Zn_0,9Cd_0,1O. Плівки осаджено методом магнетронного розпилювання на постійному струмі при температурі підкладки 250 ºC. Дослідження морфології поверхні, здійснені за допомогою атомно-силової мікроскопії (АСМ), і рентгенофазовий аналіз (РФА) виявили сильний вплив технологічних параметрів осадження на мікроструктуру плівок. РФА аналіз показав, що всі вирощені плівки є полікристалічними і однофазними. Встановлено, що зростання
парціального тиску аргону в газовій суміші Ar:O₂ сприятливо впливає на кристалічну структуру твердих розчинів Zn_0,9Cd_0,1O. Обговорено особливості контролю ширини забороненої зони та морфології поверхні твердих розчинів Zn_0,9Cd_0,1O шляхом зміни параметрів вирощування.

Посилання

A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S.F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nature Mater. 4, 42 (2005).

https://doi.org/10.1038/nmat1284

Z.P. Wei, Y.M. Lu, D.Z. Shen, Z.Z. Zhang, B. Yao, B.H. Li, J.Y. Zhang, D.X. Zhao, X.W. Fan, and Z.K. Tang, Appl. Phys. Lett. 90, 042113 (2007).

https://doi.org/10.1063/1.2435699

J.M. Qin, B. Yao, Y. Yan, J.Y. Zhang, X.P. Jia, Z.Z. Zhang, B.H. Li, C.X. Shan, and D.Z. Shen, Appl. Phys. Lett. 95, 022101 (2009).

https://doi.org/10.1063/1.3153515

B.P. Zhang, N.T. Binh, K. Wakatsuki, C.Y. Liu, Y. Segawa, and N. Usami, Appl. Phys. Lett. 86, 032105 (2005).

https://doi.org/10.1063/1.1850594

H.D. Sun, T. Makino, N.T. Tuan, Y. Segawa, Z.K. Tang, G.K.L. Wong, M. Kawasaki, A. Ohtomo, K. Tamura, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 77, 4250 (2000).

https://doi.org/10.1063/1.1333687

A. Janotti and C.G.V. De Walle, Rep. Prog. Phys. 72, 126501 (2009).

https://doi.org/10.1088/0034-4885/72/12/126501

J.J. Chen, F. Ren, D.P. Norton, S.J. Pearton, A. Osinsky, J.W. Dong, and S.N.G. Chu, Electrochem. Solid-State Lett. 8, G359 (2005).

https://doi.org/10.1149/1.2119447

F.Z. Wang, H.P. He, Z.Z. Ye, and L.P. Zhu, J. Appl. Phys. 98, 084301 (2005).

https://doi.org/10.1063/1.2089164

K. Sakurai, T. Takagi, T. Kubo, D. Kajita, T. Tanabe, H. Takasu, S. Fujita, and S. Fujita, J. Cryst. Growth 514, 237 (2002).

https://doi.org/10.1016/S0022-0248(01)01954-6

X.J. Wang, I.A. Buyanova, W.M. Chen, M. Izadifard, S. Rawal, D.P. Norton, S.J. Pearton, A. Osinsky, J.W. Dong, and A. Dabiran, Appl. Phys. Lett. 89, 151909 (2006).

https://doi.org/10.1063/1.2361081

J. Zuniga-Perez, V. Munoz-Sanjose, M. Lorenz, G. Benndorf, S. Heitsch, D. Spemann, and M. Grundmann, J. Appl. Phys. 99, 023514 (2006).

https://doi.org/10.1063/1.2163014

J. Ishihara, A. Nakamura, S. Shigemori, T. Aoki, and J. Temmyo, Appl. Phys. Lett. 89, 091914 (2006).

https://doi.org/10.1063/1.2345232

S. Kalusniak, S. Sadofev, J. Puls, and F. Henneberger, Laser Photonics Rev. 3, 233 (2009).

https://doi.org/10.1002/lpor.200810040

A.V. Thompson, C. Boutwell, J.W. Mares, W.V. Schoenfeld, A. Osinsky, B. Hertog, J.Q. Xie, S.J. Pearton, and D.P. Norton, Appl. Phys. Lett. 91, 201921 (2007).

https://doi.org/10.1063/1.2812544

I.A. Buyanova, X.J. Wang, G. Pozina, W.M. Chen, W. Lim, D.P. Norton, S.J. Pearton, A. Osinsky, J.W. Dong, and B. Hertog, Appl. Phys. Lett. 92, 261912 (2008).

https://doi.org/10.1063/1.2953178

T. Gruber, C. Kirchner, R. Kling, F. Reuss, A. Waag, F. Bertram, D. Forster, J. Christen, and M. Schreck, Appl. Phys. Lett. 83, 3290 (2003).

https://doi.org/10.1063/1.1620674

K. Ellmer, J. Phys. D 33, R17 (2000).

https://doi.org/10.1088/0022-3727/33/4/201

C. Suryanarayana and M.G. Norton, X-Ray Diffraction: A Practical Approach (Plenum, New York, 1998).

https://doi.org/10.1007/978-1-4899-0148-4

J. Albertsson, S.C. Abrahams, and A. Kvick, Acta Crystallogr. B 45, 34 (1989).

https://doi.org/10.1107/S0108768188010109

S.H. Park, T. Hanada, D.C. Oh, T. Minegishi, H. Goto, G. Fujimoto, J.S. Park, I.H. Im, J.H. Chang, M.W. Cho, T. Yao, and K. Inaba, Appl. Phys. Lett. 91, 231 904 (2007).

https://doi.org/10.1063/1.2813021

R. Cebulla, R. Wendt, and K. Ellmer, J. Appl. Phys. 83, 1087 (1998).

https://doi.org/10.1063/1.366798

B. Williamson and R.C. Smallman, Philos. Mag. 1, 34 (1956).

https://doi.org/10.1080/14786435608238074

X.S. Wang, Z.C. Wu, J.F. Webb, and Z.G. Liu, Appl. Phys. A 77, 561 (2003).

https://doi.org/10.1007/s00339-002-1497-2

C.R. Aita and R.J. Lad, J. Appl. Phys. 51, 6405 (1980).

https://doi.org/10.1063/1.327585

C.R. Aita, A.J. Purdes, R.J. Lad, and P.D. Funkenbusch, J. Appl. Phys. 51, 5533 (1980).

https://doi.org/10.1063/1.327472

D.J. Ball, J. Appl. Phys. 43, 3047 (1972).

https://doi.org/10.1063/1.1661657

T.E. Mody and J.T. Yates, J. Vac. Sci. Technol. 8, 525 (1971).

I. Brodie, L.T. Lamont, and D.O. Myers, J. Vac. Sci. Technol. 6, 124 (1969).

https://doi.org/10.1116/1.1492641

S. Thomas, J. Appl. Phys. 45, 161 (1974).

https://doi.org/10.1063/1.1662951

J. Verhoeven and J. Las, Surf. Sci. 58, 566 (1976). https://doi.org/10.1016/0039-6028(76)90490-8

Y. Margoninski, D. Segal, and R.E. Kirby, Surf. Sci. 53, 488 (1975). https://doi.org/10.1016/0039-6028(75)90148-X

F. Urbach, Phys. Rev. 92, 1324 (1953). https://doi.org/10.1103/PhysRev.92.1324

G.D. Cody, J. Non-Cryst. Solids 141, 3 (1992). https://doi.org/10.1016/S0022-3093(05)80513-7

Downloads

Опубліковано

2012-06-30

Як цитувати

Штеплюк, І., Лашкарьов, Г., Хомяк, В., Литвин, О., Мар’янчук, П., Тімофєєва, І., Євтушенко, А., & Лазоренко, В. (2012). Особливості впливу умов вирощування на структурні і оптичні властивості плівок Zn0,9Cd0,1O. Український фізичний журнал, 57(6), 653. https://doi.org/10.15407/ujpe57.6.653

Завантажити посилання

Номер

Том 57 № 6 (2012)

Розділ

Тверде тіло

Ліцензія

Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна

Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:

1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.

2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.

3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.

4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.

5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.

6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.