Аномальна провідність у монокристалах селеніду цинку під рентґенівським опроміненням
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe57.9.929Ключові слова:
-Анотація
Експериментально досліджено здатність монокристалів селеніду цинку забезпечити роботу напівпровідникового детектора в режимі прямого перетворення енергії йонізуючого випромінювання на електричний сигнал. Встановлено, що для зразка ZnSe n-типу (Ed = 0,26 еВ) з питомим опором ρ ~ 109 Ом · см за кімнатної температури спостерігається зменшення провідності під дією рентґенівського опромінення, на відміну від високоомних монокристалів з ρ > 1012 Ом · см. Виявлено, що вольт-амперна характеристика (ВАХ) таких зразків для темнової провідності вища за ВАХ рентґенопровідності, при цьому форми цих кривих помітно відрізняються. Очевидно, що характер рентґенопровідності ZnSe, за якої генеруються вільні носії обох знаків, суттєво відрізняється від характеру темнової провідності, коли в зразку є лише вільні електрони. Відповідно, для струму рентґенопровідності одержано спадаючу люкс-амперну характеристику (ЛАХ). Досі згадок про таку нетипову поведінку зазначених вище фізичних величин і характеристик у науково-технічній літературі не було. Це аномальне явище може бути зумовлене неоднорідною
перезарядкою глибоких центрів біля електричних контактів і, відповідно, появою об’ємних зарядів, які зменшують рентґенопровідність монокристалічного ZnSe.
Посилання
. A.N. Georgobiani and M.K. Sheinkman, Physics of AIIBVI Compounds (Nauka, Moscow, 1986) (in Russian).
V.I. Gavrilenko, A.M. Grekhov, and D.V. Korbutyak, Optical Properties of Semiconductors (Handbook) (Naukova Dumka, Kiev, 1987) (in Russian).
D.D. Nedeoglo and A.V. Simashkevich, Electric and Luminescent Properties of Zinc Selenide (Shtiintsa, Kishenev, 1984) (in Russian).
N.K. Morozova, V.A. Kuznetsov, and V.D. Ryzhikov, Zinc Selenide. Fabrication and Optical Properties (Nauka, Moscow, 1992) (in Russian).
L.V. Atroshchenko, S.F. Burachas, L.P. Gal'chinetskii, B.V. Grinev, V.D. Ryzhikov, and N.G. Starzhinskii, Crystals of Scintillators and Detectors of Ionizing Emissions on Their Basis (Naukova Dumka, Kiev, 1998) (in Russian).
M.S. Brodyn, V.Ya. Degoda, B.V. Kozhushko, and A.O. Sofienko, Sens. Elektr. Mikrosist. Tekhn. 2(8), 25 (2011).
A.O. Sofienko, V.Ya. Degoda, Radiat. Measur. 47, 27 (2012).
https://doi.org/10.1016/j.radmeas.2011.08.017
V.D. Kulikov and Yu.V. Lisyuk, Zh. Tekhn. Fiz. 70, Iss. 9, 51 (2000).
S.N. Mustafaeva, M.M. Asadov, and D.T. Guseinov, Zh. Tekhn. Fiz. 81, Iss. 1, 144 (2011).
A.G. Guseinov, V.M. Salmanov, and R.M. Mamedov, Fiz. Tekhn. Polupr. 40, 406 (2006).
V.V. Tokii, V.I. Timchenko, and V.A. Soroka, Fiz. Tverd. Tela 45, 600 (2003). https://doi.org/10.1134/1.1568996
V. Degoda and G. Vasylenko, Visn. Kyiv. Nats. Univ. im. T. Shevch., Fiz., Iss. 10-11, 38 (2010).
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
