Полярні властивості та петлі гістерезису у багатошарових тонких плівках типу сегнетоелектрик/віртуальний сегнетоелектрик

Автор(и)

  • Є.А. Єлісєєв Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
  • М.Д. Глинчук Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича НАН України
  • Г.М. Морозовська Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
  • Я.В. Яковенко Київський національний університет імені Тараса Шевченка, фізичний факультет

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe57.10.1038

Ключові слова:

-

Анотація

Використовуючи феноменологічну теорію Ландау–Гінзбурга–Девоншира, розраховано вплив деформацій невідповідності, поверхневої енергії та
розмірних ефектів на фазові діаграми, полярні властивості та петлі гістерезису у багатошарових тонких плівках типу сегнетоелектрик/віртуальний сегнетоелектрик. Вперше досліджено вплив пружних деформацій, що виникають на межі тонка плівка – підкладка внаслідок невідповідності сталих ґратки плівки та підкладки, на фазові діаграми багатошарових тонких плівок складу віртуальний сегнетоелектрик SrTiO3/ сегнетоелектрик BaTiO3. Виявилося, що у багатошарових плівках складу SrTiO3/BaTiO3 можуть існувати шість термодинамічно стійких фаз BaTiO3 (параелектрична, тетрагональна FEc, дві моноклінні: FEaac та FEac, дві орторомбічні: FEa та FEaa сегнетоелектричні фази) на відміну від об'ємного BaTiO3, де існують лише чотири фази (кубічна, тетрагональна, орторомбічна та ромбоедрична). Розраховано основні полярні властивості петель гістерезису (форма, коерцитивне поле і спонтанна поляризація) у тонких багатошарових плівках SrTiO3/BaTiO3. Показано, що у системі існує сильна залежність полярних властивостей від товщини шарів SrTiO3 і BaTiO3 та пружних деформацій невідповідності, причому SrTiO3 відіграє роль діелектричного прошарку: чим товщий прошарок, тим сильніше поле деполяризації, яке, у свою чергу, зменшує спонтанну поляризацію плівки BaTiO3.

Посилання

R. Nath, S. Zhong, S.P. Alpay, B.D. Huey, and M.W. Cole, Appl. Phys. Lett. 92, 012916 (2008).

https://doi.org/10.1063/1.2825287

J.Y. Jo, R.J. Sichel, E.M. Dufresne, H.N. Lee, S.M. Nakhmanson, and P.G. Evans, Phys. Rev. B 82, 174116 (2010).

J.Y. Jo, R.J. Sichel, H.N. Lee, S.M. Nakhmanson, E.M. Dufresne, and P.G. Evans, Phys. Rev. Lett. 104, 207601 (2010).

V.A. Stephanovich, I.A. Luk'yanchuk, and M.G. Karkut, Phys. Rev. Lett. 94, 047601 (2005).

https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.94.047601

D.G. Schlom, L.-Q. Chen, X. Pan, A. Schmehl, and M.A. Zurbuchen, J. Am. Ceram. Soc. 91, 2429 (2008).

https://doi.org/10.1111/j.1551-2916.2008.02556.x

X. Wu, K.M. Rabe, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 83, 020104 (2011).

A.L. Roytburd, S. Zhong, and S.P. Alpay, Appl. Phys. Lett. 87, 092902 (2005).

https://doi.org/10.1063/1.2032601

E. Bousquet, M. Dawber, N. Stucki, C. Lichtensteiger, P. Hermet, S. Gariglio, J.-M. Triscone, and P. Ghosez, Nature 452, 732 (2008).

https://doi.org/10.1038/nature06817

D.D. Fong, G.B. Stephenson, S.K. Streiffer, J.A. Eastman, O. Auciello, P.H. Fuoss, and C. Thompson, Science 304, 1650 (2004).

https://doi.org/10.1126/science.1098252

M.B. Okatan, J.V. Mantese, and S.P. Alpay, Acta Mater. 58, 39 (2010).

https://doi.org/10.1016/j.actamat.2009.08.055

M.B. Okatan, I.B. Misirlioglu, and S.P. Alpay, Phys. Rev. B 82, 094115 (2010).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.82.094115

I.B. Misirlioglu, G. Akcay, and S. Zhong, J. Appl. Phys. 101, 036107 (2007).

https://doi.org/10.1063/1.2433766

N.A. Pertsev, V.G. Kukhar, H. Kohlstedt, and R. Waser, Phys. Rev. B 67, 054107 (2003).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.67.054107

A. Sharma, Z.-G. Ban, S.P. Alpay, and J.V. Mantese, J. Appl. Phys. 95, 3618 (2004).

https://doi.org/10.1063/1.1649460

Z.-G. Ban and S. P. Alpay, Appl. Phys. Lett. 82, 3499 (2003).

https://doi.org/10.1063/1.1576503

B.D. Qu, W.L. Zhong, and R.H. Prince, Phys. Rev. B 55, 11218 (1997).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.55.11218

K.H. Chew, Y. Ishibashi, and F.G. Shin, Ferroelect. 357, 133 (2007).

https://doi.org/10.1080/00150190701542430

N.A. Pertsev, A.G. Zembilgotov, and A.K. Tagantsev, Phys. Rev. Lett. 80, 1988 (1998).

https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.80.1988

J.S. Speck and W. Pompe, J Appl. Phys. 76, 466 (1994).

https://doi.org/10.1063/1.357097

G. Rupprecht and R.O. Bell, Phys. Rev. A 135, 748 (1964).

https://doi.org/10.1103/PhysRev.135.A748

C.-L. Jia, V. Nagarajan, J.-Q. He, L. Houben, T. Zhao, R. Ramesh, K. Urban, and R. Waser, Nature Mater. 6, 64 (2007).

https://doi.org/10.1038/nmat1808

G.A. Smolenskii, V.A. Bokov, V.A. Isupov, N.N. Krainik, R.E. Pasynkov, and A.I. Sokolov, Ferroelectrics and Related Materials (Gordon and Breach, New York, 1984).

Y.L. Wang, A.K. Tagantsev, D. Damjanovic, N. Setter, V.K. Yarmarkin, and A.I. Sokolov, J. Appl. Phys. 101, 104115 (2007).

https://doi.org/10.1063/1.2733744

A. Fleury and J.M. Worlock, Phys. Rev. 174, 613 (1968).

https://doi.org/10.1103/PhysRev.174.613

H. Uwe and T. Sakudo, Phys. Rev. B 15, 337 (1977).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.15.337

The order of magnitude g~10^-10 V m^3/K corresponds to ordinary "rigid" ferroelectrics like PTO, whereas g~ 10^-9 V m^3/K seems to be more typical of virtual ferroelectrics, "soft" ferroelectrics, and ferroelectric semiconductors.

A. Pertsev, A.K. Tagantsev, and N. Setter, Phys. Rev. B 61, 825 (2000).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.61.R825

Опубліковано

2021-12-05

Як цитувати

Єлісєєв, Є., Глинчук, М., Морозовська, Г., & Яковенко, Я. (2021). Полярні властивості та петлі гістерезису у багатошарових тонких плівках типу сегнетоелектрик/віртуальний сегнетоелектрик. Український фізичний журнал, 57(10), 1038. https://doi.org/10.15407/ujpe57.10.1038

Номер

Розділ

Тверде тіло