Про механiзм впливу газового середовища на електрофiзичнi параметри гетероструктур на основi бар’єра Шотткi з наноструктурованими плiвками складу (95% In2O3 + 5% SnO2)

Автор(и)

  • V. V. Il'chenko Taras Shevchenko National University of Kyiv
  • O. M. Kostiukevych Taras Shevchenko National University of Kyiv
  • V. V. Lendiel Taras Shevchenko National University of Kyiv
  • V. I. Radko Taras Shevchenko National University of Kyiv
  • N. S. Goloborodko Taras Shevchenko National University of Kyiv

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe61.01.0038

Ключові слова:

газовi сенсори, адсорбцiя, дiелектрична проникнiсть, електричнi сили зображення, бар’єр Шотткi

Анотація

Проведено експериментальнi дослiдження електрофiзичних властивостей газочутливих гетероструктур складу Ni – (95% In2O3 + 5% SnO2) – p-Si. Аналiз їх вольт-амперних характеристик, отриманих у рiзних газових середовищах, виявив суттєве зростання зворотних струмiв крiзь зразки в присутностi пари етилового та iзопропiлового спиртiв. Для пояснення цих змiн розглянутi рiзнi механiзми протiкання струму крiзь гетероперехiд. Було показано, що суттєву роль у зсувах зворотних гiлок ВАХ даних зразкiв вiдiграють змiни висоти потенцiального бар’єра гетеропереходу, спричиненi змiною дiї сил електростатичного зображення в iнтерфейсi. А змiни дiї сил електростатичного зображення, в свою чергу, зумовленi впливом адсорбату на дiелектричну проникнiсть оксидних плiвок.

Опубліковано

2019-01-08

Як цитувати

Il’chenko, V. V., Kostiukevych, O. M., Lendiel, V. V., Radko, V. I., & Goloborodko, N. S. (2019). Про механiзм впливу газового середовища на електрофiзичнi параметри гетероструктур на основi бар’єра Шотткi з наноструктурованими плiвками складу (95% In2O3 + 5% SnO2). Український фізичний журнал, 61(1), 38. https://doi.org/10.15407/ujpe61.01.0038

Номер

Розділ

Тверде тіло

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають