Технологія отримання та властивості CdS/CdTe сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору

Автор(и)

  • T. V. Semikina V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe63.2.156

Ключові слова:

метод квазi-замкненого простору, CdS/CdTe сонячнi елементи, CuxS омiчний контакт, провiднi плiвки Mo, ZnO, ZnO:Al

Анотація

Розроблена технологiя квазiзамкненого простору для осадження шарiв CdS та CdTe з подальшим виготовленням сонячних елементiв (СЕ). Дослiджуються та аналiзуються технологiчнi чинники, вiд яких залежить структура кристалiчної ґратки, ширина оптичної забороненої зони та провiднiсть CdS та CdTe. Запропонована технологiя виготовлення омiчного контакту до p-CdTe на основi виродженого напiвпровiдника CuxS. Аналiзуються характеристики СЕ виготовлених на пiдкладках з рiзними провiдними плiвками (Mo, ZnO, ZnO:Al). Результати обробки свiтлових та темнових вольт-амперних характеристик показують перевагу ZnO та ZnO:Al плiвок, отриманих методом атомного пошарового осадження, для застосування в СЕ. Визначено товщини шарiв CdS (d = 67 нм), CdTe (∼1 мкм) та CuxS (30 нм), при яких була отримана краща ефективнiсть (n = 1,75–1,89 %) та показано, що використання тонких плiвок в структурi СЕ покращує їх характеристики.

Завантаження

Опубліковано

2018-03-10

Номер

Розділ

Напівпровідники і діелектрики

Як цитувати

Технологія отримання та властивості CdS/CdTe сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору. (2018). Український фізичний журнал, 63(2), 156. https://doi.org/10.15407/ujpe63.2.156

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають