Дослiдження морфологiї шарiв p-CdHgTe структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла

Автор(и)

  • A. B. Smirnov V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • A. A. Korchovyi V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • N. M. Krolevec V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. A. Morozhenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • R. K. Savkina V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • R. S. Udovytska V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • F. F. Sizov V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe60.10.1055

Ключові слова:

наноструктурований шар, напiвпровiдник CdHgTe, метод iонної iмплантацiї

Анотація

У роботi вивчається “top–down” процес отримання наноструктурованого шару на поверхнi напiвпровiдникового матерiалу методом iонної iмплантацiї. У результатi опромiнення гетероструктур p-CdxHg1−xTe(x = 0,223)/СdZnTe iонами срiбла з енергiєю 100 еВ на поверхнi зразкiв вiдбувається утворення масиву наноструктур. Зменшення кута падiння iонного пучка до 40∘ приводить до того, що наноструктуювання набуває впорядкованого характеру. При цьому наслiдком стабiлiзацiї активованого iмплантацiєю стану системи є утворення полiфункцiональної системи оксид металу–напiвпровiдник Ag2O–p-CdxHg1−xTe (x = 0,2), що є розмiрно-залежним вiдгуком на опромiнення ковзним опромiненням та, що дозволяє сумiстити функцiональнi властивостi оксиду Ag2O (Eg = 1,41 еВ) та напiвпровiдника CdHgTe (Eg = 0,123 еВ), як основи для створення оптичних перетворювачiв та масивiв з НВЧ ґраток.

Посилання

E. Chason and W.L. Chan, Topics Appl. Phys. 116, 53. (2010).

B. Ziberi, M. Cornejo, F. Frost, and B. Rauschenbach, J. Phys. Condens. Matter 21, 224003 (2009).

S. Facsko, T. Dekorsy, C. Koerdt, C. Trappe, H. Kurz, A. Vogt, and H.L. Hartnagel, Science 285, 1551 (1999).

F. Frost, A. Schindler, and F. Bigl, Phys. Rev. Lett. 85, 4116 (2000).

M. Navez, C. Sella, and D. Chaperot, Acad. Sci. Paris 254, 240 (1962).

R. Cuerno and A.-L. Barabasi, Phys. Rev. Lett. 74, 4746 (1995).

M. Makeev and A.-L. Barabasi, Appl. Phys. Lett. 71, 2800 (1997).

R.M. Bradley and P.D. Shipman, Phys. Rev. Lett. 105, 145501 (2010).

R.M. Bradley and J.M.E. Harper, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 2390 (1988).

P.A. Sigmund, J. Mater. Sci. 8, 1545 (1973).

M. Castro, R. Cuerno, L. V´azquez, and R. Gago, Phys. Rev. Lett. 94, 016102 (2005).

S. Facsko, T. Bobek, A. Stahl, and H. Kurz, Phys. Rev. B 69, 153412 (2004).

M. Kardar, G. Parisi, and Y.C. Zhang, Phys. Rev. Lett. 56, 889 (1986).

D.E. Wolf and J. Villian, Europhys. Lett. 13, 389 (1990).

Y. Kuramoto and T. Tsuzuki, Prog. Theor. Phys. 55, 356 (1976).

A.B. Smirnov, O.S. Litvin, V.O. Morozhenko, R.K. Savkina, M.I. Smoliy, R.S. Udovytska, and F.F. Sizov, Ukr. J. Phys. 58, 872 (2013).

Patent of Ukraine for useful model, No. 87886, 25.02.2014.

F.F. Sizov, R.K. Savkina, A.B. Smirnov, R.S. Udovytska, V.P. Kladko, A.I. Gudimenko, N.V. Safruk, and O.S. Lytvyn, Phys. Solid State 56, 2160 (2014).

A.-L. Barabasi and H.E. Stanley, Fractal Concepts in Surface Growth (Cambridge Univ. Press, Cambridge, 1995).

A.V. Nikonov, K.O. Boltar, and N.I. Iakovleva, Usp. Prikl. Fiz. 1, 500 (2013).

Li Biao, J.H. Chu, Z.H. Chen, Y. Chang, H.M. Ji, and D.Y. Tang, J. Appl. Phys. 79, 7738 (1996).

Завантаження

Опубліковано

2019-01-10

Номер

Розділ

Наносистеми

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають