Розрахунок енергiї iонiзацiї основного стану мiлких донорiв в Δ1-моделi зони провiдностi монокристалiв n-Ge
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe60.10.1022Ключові слова:
варiацiйний метод Рiтца, хiмiчний зсув, Δ1-мiнiмум, фактор анiзотропiїАнотація
На основi варiацiйного методу Рiтца розраховано енергiю iонiзацiї основного стану донорiв Sb, P, As для Δ1-моделi зони провiдностi монокристалiв n-Ge з врахуванням анiзотропiї закону дисперсiї та хiмiчного зсуву. Порiвняння одержаних теоретичних результатiв з вiдповiдними експериментальними даними показують, що модель кулонiвського потенцiалу домiшки може бути використана в грубому наближеннi лише для домiшки Sb в Ge без врахування хiмiчного зсуву. Для домiшок P та As розрахунки необхiдно проводити вже з врахуванням хiмiчного зсуву, тобто, коли потенцiал поля iона домiшки не є кулонiвським.
Посилання
A.A. Selesniov, A.Y. Aleinikov, P.V. Ermakov, N.S. Ganchuk, S.N. Ganchuk, and R.E. Jones, Phys. Solid State 54, 436 (2012).
D.Yu. Voronovich, A.V. Shelopaev, A.B. Zaletov, and I.A. Kaplunov, Vestn. Tv. Gos. Univ. Ser. Fiz. 8, 48 (2010).
C.Y. Sung, L. Ji-Song, N. Toshinori, N. Toshikazu, and T.E. Scott, J. Appl. Phys. 102, 104507 (2007).
K. Masaharu, I. Toshifumi, M. Blanka, S. Krishna, W.H.-S. Philip, and N. Yoshio, IEEE Trans. on Electr. Dev. 57, 1037 (2010).
D.N. Drozdov, A.N. Yablonskii, V.B. Shmagin, Z.F. Krasilnik, N.D. Zakharov, and P. Werner, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 43, 332 (2009).
S. Tong, J. Liu, L.J. Wan, and K.L. Wang, Appl. Phys. Lett. 80, 1189 (2002).
R.M. Peleshchak, O.V. Kuzyk, and O.O. Dan'kiv, Ukr. Fiz. Zh. 57, 841 (2012).
F.Kh. Mirzade, K.R. Alakverdiev, and Z.Yu. Salaeva, J. Nanosci. Nanotechnol. 8, 764 (2008).
P.I. Baranskyi, A.V. Fedosov, and G.P. Gaidar, Physical Properties of Silicon and Germanium Crystals in Fields of Effective External Infuence (Nadstyr'ya, Luts'k, 2000) (in Ukrainian).
P.I. Baranskii, V.N. Ermakov, V.V. Kolomoets, and P.F. Nazarchuk, in Abstracts of the 11-th Intern. Conference of IARAPT (ISM AN UkrSSR, Kiev, 1987), p. 127 (in Russian).
V.V. Baidakov, N.N. Grigoryev, V.N. Ermakov, V.V. Kolomoets, and T.A. Kudykina, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 17, 370 (1983).
V.N. Ermakov, V.V. Kolomoets, and V.S. Timochuk, Phys. Status Solidi B 116, K77 (1983).
S.V. Luniov, P.F. Nazarchuk, and O.V. Burban, Zh. Fiz. Dosl. 17, 3702 (2013).
S. Luniov, O. Burban, and P. Nazarchuk, J. Adv. Phys. 5, 705 (2014).
G.L. Bir and G.E. Pikus, Symmetry and Strain-Induced Effects in Semiconductors (Wiley, New York, 1974).
S.M. Kogan and R. Taskinboev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 17, 1583 (1983).
Ya.S. Budzhak and M.P. Zayachkovskii, Ukr. Fiz. Zh. 13, 1798 (1968).
A.V. Konstantinovich, S.V. Melnychuk, P.I. Savitskii, I.M. Rarenko, and I.A. Konstantinovich, J. Optoelectr. Adv. Mater. 2, 391 (2000).
P.Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors. Physics and Materials Properties of Semiconductors (Springer, Berlin, 1996).
R.G. Wheeler and J.O. Dimmock, Phys. Rev. 125, 1805 (1962).
H. Nara and A. Morita, J. Phys. Soc. Jpn. 21, 1852 (1967).
P.K.Katana, N.V. Dernovich, and Sh.D. Tiron, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 4, 1147 (1970).
V.I. Fistul, Heavily Doped Semiconductors (Plenum Press, New York, 1969).
V.L. Bonch-Bruevich and S.G. Kalashnikov, Semiconductor Physics (Nauka, Moscow, 1977) (in Russian).
W. Kohn, Solid State Phys. 5, 257 (1957).
V.V. Baidakov, V.N. Ermakov, N.N. Grigoryev, V.V. Kolomoets, and T.A. Kudykina, Phys. Status Solidi B 122, K163 (1984).
A.E. Gorin, V.N. Ermakov, and V.V. Kolomoets, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 29, 1147 (1995).
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
