Дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках

Автор(и)

  • I. G. Tursunov Department of Physics, National University of Uzbekistan (Tashkent 100174, Uzbekistan)

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe62.12.1041

Ключові слова:

деформація, домішки, деформаційний опір, гідростатичний тиск

Анотація

У роботi пропонуються методи деформацiї для дослiдження параметрiв глибокого рiвня в напiвпровiдниках. Вiн базується на вимiрах параметрiв деформацiї компенсованих i надкомпенсованих напiвпровiдникiв. Дослiджено динамiчнi змiни струму в компенсованих та надкомпенсованих зразках p-типу Si : Ni та n-типу Si : Mn при однорiдному iмпульсному гiдростатичному стискуваннi (ОГC). Встановлено, що в p-типу Si : Ni зразках енергiя iонiзацiї Ni при ОГC збiльшується. Навпаки, вона зменшується в зразках n-типу Si : Mn. Енергiя iонiзацiї та баричний коефiцiєнт зсуву рiвнiв Ni i Mn були обмеженими.

Завантаження

Опубліковано

2018-09-18

Номер

Розділ

Тверде тіло

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають