Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки

Автор(и)

  • O. G. Trubaieva Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України (пр. Науки 60, Харків, 61001 Україна)
  • A. I. Lalayants Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України (пр. Науки 60, Харків, 61001 Україна)
  • M. A. Chaika Інститут монокристалів НАН України (пр. Науки, 60, Харків, 61072)

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe63.01.0033

Ключові слова:

Об’ємнi кристали ZnSxSe1−x, прямі переходи, непрямі переходи, заборонена зона

Анотація

Об’ємнi кристали ZnSxSe1−x були вирощенi за методом Бриджмена–Стокбаргера. Прозорiсть зразкiв ZnSxSe1−x становила вiд 67% до 56% на la = 1100 нм (товщина зразка 4 мм), що вказує на високу оптичну якiсть кристалiв. Оптичнi експерименти показали вiдсутнiсть нових станiв з включенням сiрки, заборонена зона безперервно рухається зi складом. Оптична ширина забороненої зони ZnSxSe1−x кристала варiювалася вiд 2,59 до 2,78 еВ для прямих переходiв i вiд 2,49 до 2,70 еВ для непрямих переходiв.

Завантаження

Опубліковано

2018-02-01

Номер

Розділ

Напівпровідники і діелектрики

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають