Термолюмiнесценцiя квантових точок кремнiю в моделi двi пастки–один центр рекомбiнацiї
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe62.02.0140Ключові слова:
thermoluminescence, quantum dots, radiative recombination, retrappingАнотація
Запропоновано модель кiнетики першого i довiльного порядкiв термолюмiнесценцiї (ТЛ) квантових точок кремнiю, що включає один центр рекомбiнацiї i два рiзних електронних рiвня пасток нижче краю зони провiдностi. Кiнетичнi рiвняння для кожного рiвня дозволяють чисельно моделювати залежнiсть концентрацiї електронiв у пастках i iнтенсивностi ТЛ вiд температури для квантових точок 2–8 нм у дiаметрi. Показано, що iнтенсивнiсть зростає при зменшеннi дiаметра точок, тобто, ефект квантового утримування збiльшує швидкiсть радiацiйної рекомбiнацiї. Два пiка iнтенсивностi вiдповiдають двом рiзним електронним рiвням. Зi збiльшенням розмiру точок пiки, вiдповiднi самому глибокому рiвню, зсуваються до областi великих температур. Розраховано змiну концентрацiї електронiв у пастках, i цей результат вiдповiдає експериментальним даним по ТЛ тлiючого розряду.
Посилання
S.W.S. Mckeever. Thermoluminescence of Solids (Cambridge Univ. Press, 1988).
V. Pagonis, G. Kitis, C. Furetta. Numerical and Practical Exercises in Thermoluminescence (Springer, 2005).
Yu.A. Skryshevskii, V.A. Skryshevskii. Thermally stimulated luminescence in porous silicon. J. Appl. Phys. 89, 2711 (2001).
C. Furetta. Handbook of Thermoluminescence (Cambridge Univ. Press, 1988).
N.M. Abdul-Ameer, M.C. Abdulrida. Direct optical energy gap in amorphous silicon quantum dots. J. Modern Phys. 2, 1530 (2011).
K. Dohnalov´a, T. Gregorkiewicz, K. K˙usov´a. Silicon quantum dots: surface matters. J. Phys.: Condens. Matter 26, 173201 (2014).
S. Martini, L.K. Teles, M. Marques, A.E.B. Marques, A.A. Quivy. Radiative recombination mechanisms of large InAs/GaAs quantum dots. World J. Condens. Matter Phys. 161, 1 (2011).
E.-C. Cho, M.A. Green, G. Conibeer, D. Song, Y.-H. Cho et al. Silicon quantum dots in a dielectric matrix for all-silicon tandem solar cells. Advances in OptoElectronics 2007, 1 (2007).
L.R. Singh, S.D. Singh. Particle size efect on TL emission of ZnS nanoparticles and determination of its kinetic parameters. J. Nanomater. 2012, 1 (2012).
R. Sharma, B.P. Chandra, D.P. Bisen. Thermoluminescence and optical absorption spectra of ZnS:Mn nanoparticles. Chalcogenide Lett. 6, 251 (2009).
V. Pagonis, G. Kitis. Prevalence of frst-order kinetics in thermoluminescence materials: An explanation based on multiple competition processes. Phys. Status Solidi B 249, 1590 (2012).
A.M. Sadek, H. M.Eissa, A.M. Basha, G. Kitis. Properties of the thermoluminescence glow peaks simulated by the interactive multiple-trap system (IMTS) model. Phys. Status Solidi B 252, 721 (2015).
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
