Електричнi та високочастотнi властивостi компенсованого gan в умовах електронного стримiнгу

Автор(и)

  • G. I. Syngayivska V.E. Lashkarev Institute of Semiconductor Physics, Department of Theoretical Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. V. Korotyeyev V.E. Lashkarev Institute of Semiconductor Physics, Department of Theoretical Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe58.01.0040

Ключові слова:

стримiнг, динамiчна диференцiальна рухливiсть, коефiцiєнт дифузiї, константа Фрьолiха, функцiя розподiлу, частота прольоту

Анотація

Проведено детальний аналiз умов iснування стримiнгу i ефекту прольотного резонансу на оптичних фононах у компенсованому об’ємному GaN. Методом Монте-Карло проведено розрахунки високочастотної диференцiальної рухливостi. Показано, що при низьких температурах ґратки 30–77 К в електричних полях 3–10 кВ/см в терагерцовому дiапазонi частот може iснувати динамiчна вiд’ємна диференцiальна рухливiсть. Виявленi новi ознаки ефекту стримiнгу – анiзотропiя динамiчної диференцiальної рухливостi i особлива поведiнка коефiцiєнта дифузiї у перпендикулярному до постiйного
електричного поля напрямку. Побудовано теорiю проходження терагерцового випромiнювання через структуру з епiтаксiйним шаром GaN. Отримано умови пiдсилення електромагнiтних хвиль в дiапазонi частот 0,5–2 ТГц. В електричних полях, бiльших, нiж 1 кВ/см, спостерiгається поляризацiйна залежнiсть коефiцiєнта проходження випромiнювання через структуру.

Завантаження

Опубліковано

2018-10-05

Номер

Розділ

Тверде тіло

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають