Спектроскопiчнi дослiдження плазми високочастотного розряду при плазмохiмiчному травленнi епiтаксiальних структур нiтриду галiю
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe62.03.0208Ключові слова:
bias voltage, plasma-chemical etching, sputtering, plasma-chemical reactor, radio-frequency discharge, optical spectroscopyАнотація
Приведено результати експериментальних дослiджень впливу напруги змiщення на еволюцiю спектрiв випромiнювання плазми при травленнi нiтриду галiю в плазмохiмiчному реакторi (ПХР) з керованими магнiтними полями. При значеннях напруги змiщення бiльших за –250 В на спектрах випромiнювання плазми з’являються лiнiї, що належать збудженим атомам матерiалiв, з яких виготовлений робочий електрод. Пiд впливом вiд’ємного потенцiалу проходить розпилення активного електрода i переосадження iонiв металу на поверхню зразка, який обробляється, що приводить до зменшення швидкостi травлення.
Посилання
T. Harafuji, J. Kawamura. Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal. Appl. Phys. 96, 2501 (2004).
https://doi.org/10.1063/1.1772878
A.E. Belyaev, N.I. Klyui, R.V. Konakova et al. Electroreflectance study of the effect of radiation on the optical properties of epitaxial GaN films. Fiz. Tekh. Poluprovodn. 46/3, 317 (2012) (in Russian).
https://doi.org/10.1134/S1063782612030062
D.C. Look, D.C. Reynolds, J.W. Hemsky, J.R. Sizelove et al. Defect donor and acceptor in GaN. Phys. Rev. Lett. 79, 2273 (1997).
https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.79.2273
A.G. Borisenko, B.P. Polozov, O.A. Fedorovich et al. Plasmochemical etching of epitaxial nitride gallium structures. Tekhnol. Konstr. Elektron. Apparat. ´ No. 6, 42 (2005) (in Russian).
R.A. Gottscho, G. Smolinsky, R.H. Burton. Carbon tetrachloride plasma etching of GaAs and InP: A kinetic study utilizing nonperturbative optical techniques. J. Appl. Phys. 53, 5908 (1982).
https://doi.org/10.1063/1.331433
H.J. Tiller, R. G¨obel, S. Ustinowa, T. Kloss. Mass spectroscopic product analysis. An investigation of CCl4 plasma. Influence of plasma conditions and gas admixture on the decomposition products. Int. J. Mass Spectr. Ion Proc. 59, 143 (1984).
https://doi.org/10.1016/0168-1176(84)85091-0
O. Jasek, J. Janca, M. Klima. Synthesis of fullerenes by radiofrequency plasma discharges. In Proceedings of 14th International Symposium on Plasma Chemistry (Praha, 1999), p. 2223 [ISBN: 80-902724-3-6].
P.E. Clarke, D. Field, D.F. Klemperer. Optical spectroscopic study of mechanisms in CCl4 plasma etching of Si. Appl. Phys. 67, 1525 (1990).
https://doi.org/10.1063/1.345663
V. Sharma. Momentum spectroscopic studies of atomic and molecular ionization. Ph.D. thesis (Mohanlal Sukhandia University, 2007).
E.G. Kostin, V.V. Ustalov, O.A. Fedorovich. Massspectrometry research of chemically active plasma in highfrequency discharge in controlled magnetic fields. Zbirn. Nauk Prats Inst. Yadern. Dosl. 2, No. 13, 86 (2004) (in Ukrainian).
O.A. Fedorovich, M.P. Kruglenko, B.P. Polozov. Peculiarity of plasma-chemical etching of silicon plate edges of photoelectric converters. Tekhnol. Konstr. Elektron. Apparat. ´ No. 6, 46 (2009) (in Russian).
V.V. Hladkovskiy, O.A. Fedorovich, B.P. Polozov, M.P. Kruglenko. About peculiarities of self - bias voltage formation in plasma-chemical reactors with controlled magnetic fields. Probl. At. Sci. Technol. 1 (95), 156 (2015).
O.A. Feorovich, V.V. Hladkovskiy, B.P. Polozov, M.P. Kruglenko. The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon. Probl. At. Sci. Technol. 6 (100), 146 (2015).
A.N. Zaidel, Tables of Spectral Lines (Fizmatgiz, 1962) (in Russian).
A.R. Striganov, G.A. Odintsova, Tables of the Spectral Lines of Atoms and Ions (Energoizdat, 1982) (in Russian). ´
R.W.B. Pearse, A.G. Gaydon. The Identification of Molecular Spectra (Chapman and Hall, 1976) [ISBN: 041214350X].
https://doi.org/10.1007/978-94-009-5758-9
A.N. Zaidel, N.I. Kaliteevskii, L.V. Lipis, M.P. Chaika. Emission Spectrum Analysis of Atomic Materials (U.S. Atomic Energy Commission, 1963).
V.V. Hladkovskiy, B.P. Polozov, O.A. Fedorovich. Influence of bias voltage on the etching rate of silicon and formation of surface relief. In Proceedings of the 16th International Scientific and Practical Conference on Modern Information and Electronic Technologies (Odessa, 2015), p. 236 (in Russian).
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
