Конкурентнi механiзми гiстерезису опору в графеновому каналi

Автор(и)

  • A. I. Kurchak V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • A. N. Morozovska Інститут фізики НАН України
  • M. V. Strikha V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe58.05.0472

Ключові слова:

графен, механiзми гiстерезису, адсорбати, поверхневi диполi

Анотація

Побудовано модель для конкурентних механiзмiв гiстерезису залежностi опору графенового каналу на пiдкладцi рiзної природи вiд напруги на затворi: прямого (зумовленого наявнiстю на поверхнi й iнтерфейсi адсорбатiв з дипольним моментом) i оберненого (зумовленого захопленням носiїв з шару графену на локалiзованi стани на iнтерфейсi графен–пiдкладка). Обговорено можливiсть дискримiнацiї цих каналiв шляхом варiацiї швидкостi змiни напруги на затворi. Вiдзначено добру вiдповiднiсть передбачень теорiї з наявними в лiтературi експериментальними даними.

Завантаження

Опубліковано

2018-10-06

Номер

Розділ

Тверде тіло

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають

1 2 > >>