Теоретичний аналiз ефективностi кремнiєвих сонячних елементiв з аморфiзованими шарами в областi просторового заряду
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe60.07.0620Ключові слова:
сонячний елемент, кремнiєвий n –p-перехiд, ефективнiсть, аморфiзований шар, iнфрачервоне поглинанняАнотація
В роботi показано можливiсть пiдвищення ефективностi монокристалiчних кремнiєвих сонячних елементiв внаслiдок створення аморфiзованої бар’єрної структури в областi просторового заряду. Позитивний ефект можна досягти за рахунок додаткового поглинання iнфрачервоних квантiв з енергiєю меншою, нiж ширина забороненої зони та зменшення темнового струму. В наближеннях дiодної теорiї визначено оптимальнi параметри такої структури (висота бар’єра, положення в областi просторового заряду).
Посилання
M.A. Green, Progr. Photovolt. Res. Appl. 17, 320 (2009).
http://dx.doi.org/10.1002/pip.911
M.A. Green, Third Generation Photovoltaics: Advanced Solar Energy Conversion (Springer, New York, 2003).
A. Luque, J. Appl. Phys. 110, 031301 (2011).
http://dx.doi.org/10.1063/1.3600702
Z.T. Kuznicki and M. Ley, Solar Energy Mater. Solar Cells 72, 613 (2002).
http://dx.doi.org/10.1016/S0927-0248(01)00212-4
Z.T. Kuznicki, Appl. Phys. Lett. 81, 4853 (2003).
http://dx.doi.org/10.1063/1.1528730
M. Hossatt, M. Basta, A. Sieradski, and Z.T. Kuznicki, Proc. SPIE 8065, 806508 (2011).
http://dx.doi.org/10.1117/12.889256
Z.T Kuznicki, J.C. Muller, and M.A. Lipinski, in Proceeding of the 23rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (Louisville, USA, 1993), p. 327.
D. Macdonald, K. McLean, J. Mitchel et al., in Proceeding of the 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference (Paris, France, 2004), p. 88.
M.J. Keevers, F.W. Saris, and M.A. Green, in Proceeding of the 13th European Photovoltaic Solar Energy Conference (Nice, France, 1999), p. 1215.
M.J. Keevers and M.A. Green, J. Appl. Phys. 75, 4022 (1994).
http://dx.doi.org/10.1063/1.356025
P. Harder and P. Wurfel, in Proceeding of the 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference (Paris, France, 2004), p. 84.
H. Kasai, T. Sato, and H. Matsumura, in Proceedings of the 26th Photovoltaic Specialists Conference (Anaheim, USA, 1997), p. 215.
J. Yuan, H. Shen et al., J. Optoelectr. Adv. Mater. 5, 866 (2011).
I.I. Ivanov, V.A. Skryshevsky et al., Renew. Ener. 55, 79 (2013).
http://dx.doi.org/10.1016/j.renene.2012.12.031
V.A. Skryshevsky and A. Laugier, Thin Solid Films 346, 261 (1999).
http://dx.doi.org/10.1016/S0040-6090(98)01775-1
J. Bruns, W. Seitfer, P. Wawer, and H. Winnicke, Appl. Phys. Lett. 64, 20 (1994).
http://dx.doi.org/10.1063/1.111496
V.I. Strikha, Contact Phenomena in Semiconductors (Vyshcha Shkola, Kyiv, 1982) (in Russian).
S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
O.V. Kozynets, V.I. Strikha, Z.T. Kuznicki, and V.A. Skryshevsky, Ukr. Fiz. Zh. 44, 1003 (1999).
M. Rahmouini, A.P. Datta et al., J. Appl. Phys. 107, 054521 (2010).
http://dx.doi.org/10.1063/1.3326945
S. Zhong, X. Hua, and W. Shen, Trans. Electr. Devic. 60, 2104 (2013).
http://dx.doi.org/10.1109/TED.2013.2259830
V.A. Dao, Y. Lee, S. Kim, J. Cho, Sh. Ahn, and Y. Kim, J. Electrochem. Soc. 158, H11292 (2011).
O.V. Kozynets, in Abstracts of the 3rd International Scientific and Practical Conference on Semiconductor Materials, Information Technologies, and Photovoltaics (Kremenchuk, Ukraine, 2014), p. 55 (in Ukrainian).
O. El Daif, E. Drouard, G. Gomard, A. Kaminski et al., Opt. Expr. 18, 293 (2010).
http://dx.doi.org/10.1364/OE.18.00A293
Y. Park, E. Drouard, O. El Daif et al., Opt. Expr. 17, 14312 (2009).
http://dx.doi.org/10.1364/OE.17.014312
O V. Kozynets and S.V. Litvinenko, Ukr. J. Phys. 57, 1234 (2012).
A.I. Manilov, A.M. Veremenko, I.I. Ivanov, and V.A. Skryshevsky, Physica E 41, 36 (2008).
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
