Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах

Автор(и)

  • N. M. Litovchenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • D. V. Korbutyak V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • O. M. Strilchuk V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe58.03.0260

Ключові слова:

фотолюмiнесценцiя, квантова яма, екситон, фонон

Анотація

Проведена оцiнка характеристик гетероструктур з одиночною квантовою ямою GaAs/InxGa1 xAs/GaAs з рiзними ростовими параметрами за результатами вимiрювань низькотемпературних спектрiв фотолюмiнесценцiї (ФЛ), з вiдповiдним теоретичним аналiзом. Проаналiзованi експериментально отриманi температурнi залежностi енергiї максимуму смуги ФЛ (hmax), пiвширини (W0) та iнтенсивностi I. Визначено параметри Eph (енергiя локальних фононiв), Eex (енергiя зв’язку екситонiв) та N (фактор Хуанга–Рiс). Проведене зiставлення отриманих значень Eph, Eex та N з ростовими параметрами зразкiв дає пiдставу стверджувати, що найбiльш якiсними є зразки з малим значенням N i одномодовим фононним спектром.

Завантаження

Опубліковано

2018-10-06

Номер

Розділ

Наносистеми

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають