Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками. Ukr. J. Phys. [інтернет]. 08, Лютий 2022 [цит. за 11, Вересень 2026];56(9):940. доступний у: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022030