Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні. Ukr. J. Phys. [інтернет]. 08, Лютий 2022 [цит. за 10, Вересень 2026];56(9):922. доступний у: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022028