Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками. Ukr. J. Phys. [інтернет]. 14, Лютий 2022 [цит. за 10, Вересень 2026];56(4):381. доступний у: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022108