«Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками». Український фізичний журнал 56, no. 4 (Лютий 14, 2022): 381. дата звернення Вересень 10, 2026. https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022108.