Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe60.06.0521Ключові слова:
кремний n-типа, облучение протонами, метод фото-Холл-эффектаАнотація
Исследуемые образцы монокристаллов n-Si с концентрацией электронов N = 6 × 1013 cм−3 облучались протонами с энергией 25 МэВ при 300 К. Для исследования применяли метод фото-Холл-эффекта. В облученных образцах наблюдается аномально высокое значение холловской подвижности электронов, что объясняется образованием в объеме кристалла высокопроводящих включений с омическим переходом на границе с матрицей кристалла. При некоторых температурах изохронного отжига наблюдается аномально высокое рассеяние электронов, которое уменьшается монохроматической ИК подсветкой с заданной энергией фотонов. Подсветка деионизирует электростатически взаимодействующие вторичные глубокие дефекты, которые образуются в процессе изохронного отжига вокруг высокопроводящих включений и экранируют их. Показано, что такими экранирующими дефектами являются в основном A- и E-центры.
Посилання
I.I. Kolkovskii and V.V. Lukyanitsa, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 405 (1997).
V.B. Neimash, V.M. Siratskii, A.N. Kraichinskii, and E.A. Puzenko, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 32, 1049 (1998).
E.P. Neustroev, S.A. Smagulova, I.V. Antonova, and L.N. Safronov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 38, 791 (2004).
L.I. Matveeva, A.A. Groza, P.G. Litovchenko, P.L. Neliuba, M.B. Pinkovska, and M.I. Starchyk, in Proceedings of the 7th International Conference MEE (IPMS, Kiyv, 2012), p. 204 .
V.I. Obodnikov and E.G. Tishkovskii, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 32, 417 (1998).
K.V. Feklistov, L.I. Fedin, and A.G. Cherkov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 44, 302 (2010).
F.V. Stas', I.V. Antonova, E.P. Neustroev, V.P. Popov, and L.S. Smirnov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 34, 162 (2000).
E.G. Tishkovskii, V.I. Obodnikov, A.A. Taskin, K.V. Feklistov, and V.G. Sryapin, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 34, 655 (2000).
M. Karimov, M.A. Jalelov, and R.M. Kochkarov, [http://www.iaea.org/33 007214.pdf].
R. Poirier, V. Avalos, S. Dannefaer, F. Schiettekatte, and S. Roord, Physica B 340-342, 609 (2003).
http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.240
D.I. Tetelbaum, A.A. Ezhevsky, and A.N. Mikhailov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 37, 1380 (2003).
J.R. Shrour, Ch.J. Marshall, and P.W. Marshall, IEEE Trans. Nucl. Sci. 50, 653 (2003).
http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2003.813197
B.R. Gossick, J. Appl. Phys. 30, 1214 (1959).
http://dx.doi.org/10.1063/1.1735295
R.F. Konopleva, V.L. Litvinov, and N.A. Ukhin, The Features of Radiation-Induced Damage of Semiconductors by High-Energy Particles (Atomizdat, Moscow, 1971) (in Russian).
N.A. Ukhin, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 6, 831 (1972).
V.I. Kuznetsov and P.F. Lugakov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 13, 625 (1979).
V.I. Kuznetsov and P.F. Lugakov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 14, 1924 (1980).
T.A. Pagava and N.I.Maisuradze, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 44, 160 (2010).
T.A. Pagava, N.I. Maisuradze, and M.G. Beridze, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 45, 582 (2011).
T.A. Pagava, M.G. Beridze, and N.I. Maisuradze, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 46, 1274 (2012).
L.S. Milevskii and V.S. Garnyk, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 13, 1369 (1979).
V.A. Kozlov and V.V. Kozlovskii, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 35, 769 (2001).
V.S. Vavilov, V.F. Kiselev, and B.N. Mukashev, Defects in Silicon and on Its Surface (Nauka, Moscow, 1990) (in Russian).
L.S. Milevskii, T.M. Tkacheva, and T.A. Pagava, Zh. Eksp. Teor. Fiz. 69, 132 (1975).
E.V. Kuchis, Galvano-Magnetic Effects and Methods of Their Research (Radio i Svyaz', Moscow, 1990) (in Russian).
S.V. Bezlyudnyi and I.V. Kolesnikov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 10, 1964 (1976).
T.A. Pagava, and L.S. Chkhartishvili, Ukr. Fiz. Zh. 48, 232 (2003).
I.V. Antonova, S.S. Shaimiev, and S.F. Smagulova, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 40, 557 (2006).
W.T. Read, Phil. Mag. 45, 775 (1954).
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
