Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани

Автор(и)

  • S. V. Sologub Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • I. V. Bordenjuk Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • C. Tegenkamp Institut f¨ur Festk¨orperphysik, Leibniz Universit¨at Hannover
  • H. Pfn¨ur Institut f¨ur Festk¨orperphysik, Leibniz Universit¨at Hannover

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe60.02.0120

Ключові слова:

поверхневе розсiювання носiїв струму, поверхневi електроннi стани, електронно-дiрковi перекидання, епiтаксiйнi наноплiвки вiсмуту, перехiд “напiвметал–напiвпровiдник”, ефект Рашби, магнiтотранспорт

Анотація

Наведений огляд експериментальних дослiджень розсiювання носiїв струму на атомночистих i вкритих моношарами водню (дейтерiю) поверхнях Mo(110) i W(110), яке вiдбувається за участю поверхневих електронних станiв, а також механiзмiв розсiювання носiїв струму спiн-поляризованих поверхневих електронних станiв епiтаксiйних наноплiвок Bi(111) з атомночистою i вкритою надмалими покриттями магнiтних i немагнiтних адатомiв поверхнею.

Посилання

A. Fert, Rev. Mod. Phys. 80, 1517 (2008); https://doi.org/10.1103/RevModPhys.80.1517 P.A. Gr?unberg, Rev. Mod. Phys. 80, 1531 (2008). https://doi.org/10.1103/RevModPhys.80.1531

J.E. Moore, Nature 464, 194 (2010). https://doi.org/10.1038/nature08916

P. Roushan, J. Seo, C.V. Parker, Y.S. Hor, D. Hsieh, D. Qian, A. Richardella, M.Z. Hasan, R.J. Cava, and A. Yazdani, Nature 460, 1106 (2009). https://doi.org/10.1038/nature08308

S. Xiao, D. Wei, and X. Jin, Phys. Rev. Lett. 109, 166805 (2012). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.109.166805

O.A. Panchenko, P.P. Lutsishin, and S.V. Sologub, Progr. Surf. Sci. 69, 193 (2002). https://doi.org/10.1016/S0079-6816(01)00041-7

Ph. Hofmann, and J.W. Wells, J. Phys.: Condens. Matter 21, 013003 (2009). https://doi.org/10.1088/0953-8984/21/1/013003

O.A. Panchenko and S.V. Sologub, Phys. Rev. B 71, 193401 (2005). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.71.193401

O.A. Panchenko, S.V. Sologub, and I.V. Bordenjuk, Funct. Mater. 12, 742 (2005).

O.A. Panchenko, S.V. Sologub, and I.V. Bordenjuk, Surf. Sci. 605, 1287 (2011). https://doi.org/10.1016/j.susc.2011.04.018

D. L?ukermann, S. Sologub, H. Pfn?ur, and C. Tegenkamp, Phys. Rev. B 83, 245425 (2011). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.83.245425

D. L?ukermann, S. Sologub, H. Pfn?ur, C. Klein, M. Hornvon-Hoegen, and C. Tegenkamp, Phys. Rev. B 86, 195432 (2012). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.86.195432

S. Sologub, D. L?ukermann, H. Pfn?ur, and C. Tegenkamp, Phys. Rev. B 88, 115412 (2013). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.115412

P. Kr?oger, S. Sologub, C. Tegenkamp, and H. Pfn?ur, J. Phys.: Condens. Matter 26, 22502 (2014). https://doi.org/10.1088/0953-8984/26/22/225002

A.F. Andreev, Usp. Fiz. Nauk 105, 113 (1971). https://doi.org/10.3367/UFNr.0105.197109d.0113

P.P. Lutsishin, T.N. Nakhodkin, O.A. Panchenko, and Yu.G. Ptushinskii, Zh. Eksp. Teor. Fiz. 82, 1306 (1982).

M.Ya. Azbel and V.G. Peschanskii, Zh. Eksp. Teor. Fiz. 49, 572 (1965).

A.G. Kundzich, P.P. Lutsishin, O.A. Panchenko, S.V. Sologub, and V.F. Shpagin, Surf. Sci. 248, 207 (1991). https://doi.org/10.1016/0039-6028(91)90074-3

M. Arnold, S. Sologub, G. Hupfauer, P. Bayer, W. Frie, L. Hammer, and K. Heinz, Surf. Rev. Lett. 4, 1291 (1997). https://doi.org/10.1142/S0218625X97001693

K. Jeong, R.H. Gaylord, and S.D. Kevan, Phys. Rev. B 39, 2973 (1989). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.39.2973

E. Rotenberg and S.D. Kevan, Phys. Rev. Lett. 80, 2905 (1998). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.80.2905

Yu.F. Ogrin, V.N. Lutskii, and M.I. Elinson, Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 3, 114, 1996.

V.B. Sandomirskii, Zh. Eksp. Teor. Fiz. 52, 158 (1967).

C.A. Hoffman, J.R. Meyer, F.J. Bartoli, A. Di Venere, X.J. Yi, C.L. Hou, H.C. Wang, J.B. Ketterson, and G.K. Wong, Phys. Rev. B 51, 5535 (1995). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.51.5535

C.A. Hoffman, J.R. Meyer, F.J. Bartoli, A. Di Venere, X.J. Yi, C.L. Hou, H.C. Wang, J.B. Ketterson, and G.K. Wong, Phys. Rev. B 48, 11431 (1993). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.48.11431

T. Hirahara, I. Matsuda, S. Yamazaki, N. Miyata, S. Hasegawa, and T. Nagao, Appl. Phys. Lett. 91, 202106 (2007). https://doi.org/10.1063/1.2813613

G. Jnawali, Th. Wagner, H. Hattab, R. M?oller, A. Lorke, and M. Horn-von Hoegen, e-J. Surf. Sci. Nanotechnol. 8, 27 (2010). https://doi.org/10.1380/ejssnt.2010.27

E.I. Rashba, Fiz. Tverd. Tela 2, 1224 (1960); A.Yu. Bychkov and E.I. Rashba, Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 39, 66 (1984).

Y.M. Koroteev, G. Bihlmayer, J.E. Gayone, E.V. Chulkov, S. Bl?ugel, P.M. Echenique, and Ph. Hofmann, Phys. Rev. Lett. 93, 046403 (2004). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.93.046403

J. Henk, M. Hoesch, J. Osterwalder, A. Ernst, and P. Bruno, J. Phys.: Cond. Mat. 16, 7581 (2004).

Ph. Hofmann, J.E. Gayone, G. Bihlmayer, Yu.M. Koroteev, and E.V. Chulkov, Phys. Rev. B 71, 195413 (2005). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.71.195413

H. Dil, J. Phys.: Cond. Mat. 21, 403001 (2009).

M. Horn-von Hoegen, Z. Kristallogr. 214, 591 (1999).

J.A. Venables, G.D.T. Spiller, and M. Hanb?ucken, Rep. Prog. Phys. 47, 399 (1984); https://doi.org/10.1088/0034-4885/47/4/002 H. Brune, Surf. Sci. Rep. 31, 125 (1998). https://doi.org/10.1016/S0167-5729(99)80001-6

A.B. Pippard, Magnetoresistance in Metals (Cambridge Univ. Press, Cambridge, 1989).

G. Bergmann, Phys. Rep. 107, 1 (1984). https://doi.org/10.1016/0370-1573(84)90103-0

S. Hikami, A.I. Larkin, and Y. Nagaoka, Prog. Theor. Phys. 63, 707 (1980). https://doi.org/10.1143/PTP.63.707

D. Choi, C.S. Kim, D. Naveh, S. Chung, A.P. Warren, N.T. Nuhfer, M.F. Toney, K.R. Coffey, and K. Barmak, Phys. Rev. B 86, 045432 (2012). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.86.045432

M.C. Cottin, C.A. Bobisch, J. Schaffert, G. Jnawali, A. Sonntag, G. Bihlmayer, and R. M?oller, Appl. Phys. Lett. 98, 022108 (2011). https://doi.org/10.1063/1.3536528

A. Str’o?zecka, A. Eiguren, and J.I. Pascual, Phys. Rev. Lett. 107, 186805 (2011). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.107.186805

M.C. Cottin, C.A. Bobisch, J. Schaffert, G. Jnawali, G. Bihlmayer, and R. M?oller, Nano Lett. 13, 2717 (2013). https://doi.org/10.1021/nl400878r

UJP 2015 V60 #2uk

Завантаження

Опубліковано

2019-01-22

Номер

Том 60 № 2 (2015)

Розділ

Тверде тіло

Ліцензія

Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна

Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:

1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.

2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.

3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.

4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.

5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.

6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.

Як цитувати

Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани. (2019). Український фізичний журнал, 60(2), 120. https://doi.org/10.15407/ujpe60.02.0120