Про механiзм впливу газового середовища на електрофiзичнi параметри гетероструктур на основi бар’єра Шотткi з наноструктурованими плiвками складу (95% In2O3 + 5% SnO2)
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe61.01.0038Ключові слова:
газовi сенсори, адсорбцiя, дiелектрична проникнiсть, електричнi сили зображення, бар’єр ШотткiАнотація
Проведено експериментальнi дослiдження електрофiзичних властивостей газочутливих гетероструктур складу Ni – (95% In2O3 + 5% SnO2) – p-Si. Аналiз їх вольт-амперних характеристик, отриманих у рiзних газових середовищах, виявив суттєве зростання зворотних струмiв крiзь зразки в присутностi пари етилового та iзопропiлового спиртiв. Для пояснення цих змiн розглянутi рiзнi механiзми протiкання струму крiзь гетероперехiд. Було показано, що суттєву роль у зсувах зворотних гiлок ВАХ даних зразкiв вiдiграють змiни висоти потенцiального бар’єра гетеропереходу, спричиненi змiною дiї сил електростатичного зображення в iнтерфейсi. А змiни дiї сил електростатичного зображення, в свою чергу, зумовленi впливом адсорбату на дiелектричну проникнiсть оксидних плiвок.
Посилання
D. Kohl, J. Phys. D 34, R125 (2001). http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/34/19/201
G. Korotcenkov and B.K. Cho, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 35, 1 (2010). http://dx.doi.org/10.1080/10408430903245369
G. Eranna, B.C. Joshi, D.P. Runthala, and R.P. Gupta, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 29, 111 (2004). http://dx.doi.org/10.1080/10408430490888977
M.M. Arafat, B. Dinan, S.A. Akbar, and A.S.M.A. Haseeb, Sensors 12, 7207 (2012). http://dx.doi.org/10.3390/s120607207
V.A. Skryshevsky, O.V. Tretiak, V.A. Vikulov, V.M. Zinchuk, F. Koch, and Th. Dittrich, Phys. Status Solidi A 197, 534 (2003). http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200306559
G. Zhang and M. Liu, Sensor. Actuat. B 69, 144 (2000). http://dx.doi.org/10.1016/S0925-4005(00)00528-1
S. Elouali, L.G. Bloor, R. Binions, I.P. Parkin, C.J. Carmalt, and J.A. Darr, Langmuir 28, 1879 (2012). http://dx.doi.org/10.1021/la203565h
H. Wang, K. Dou, W.Y. Teoh, Y. Zhan, T.F. Hung, F. Zhang, J. Xu, R. Zhang, and A.L. Rogach, Adv. Funct. Mater. 23, 4847 (2013). http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-33596-9
S.K. Gupta, A. Joshi, and M. Kaur, J. Chem. Sci. 122, 57 (2010). http://dx.doi.org/10.1007/s12039-010-0006-y
V.G. Litovchenko, T.I. Gorbanyuk, V.S. Solntsev, and A.A. Evtukh, Appl. Surf. Sci. 234, 262 (2004). http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.05.146
V. Strikha, V.A. Skryshevsky, V. Polishchuk, E. Souteyrand, and J.-R. Martin, J. Porous Mat. 7, 111 (2000). http://dx.doi.org/10.1023/A:1009634720436
D.B. Dimitrov, Phys. Rev. B 51, 1562 (1995). http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.51.1562
D. Stievenard and D. Deresmes, J. Appl. Phys. Lett. 67, 1570 (1995). http://dx.doi.org/10.1063/1.114942
V.A. Vikulov, V.I. Strikha, V.A. Skryshevsky, S.S. Kilchitskaya, E. Souteyrand, and J.-R. Martin, J. Phys. D 33, 1957 (2000). http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/33/16/304
V.I. Strikha, Contact Phenomena in Semiconductors (Vyshcha Shkola, Kyiv, 1982) (in Russian).
E.H. Rhoderick, Metal–Semiconductor Contacts (Clarendon Press, Oxford, 1978).
V.S. Solntsev, V.G. Litovchenko, T.I. Gorbanyuk, and A.A. Evtukh, SPQEO 11, 381 (2008).
O.Y. Bomk, L.G. Ilchenko, V.V. Ilchenko, G.V. Kuznetsov, V.M. Pinchuk, O.M. Pinchuk, and B.I. Strikha, Ukr. Fiz. Zh. 44, 759 (1999).
Y. Hijikata, Physics and Technology of Silicon Carbide Devices (InTech, 2002).
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
