Атомне розупорядкування та електронна будова сплаву Хойслера CoTiSb
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe62.02.0106Ключові слова:
зоннi розрахунки, рентгеноелектроннi спектри, спiнтронiкаАнотація
За допомогою лiнiйного методу приєднаних плоских хвиль (ЛППХ) виявлено роль деяких структурних типiв сплаву CoTiSb у формуваннi його енергетичних, просторових, спектральних i спiнових характеристик. Встановлено, що його основний стан з найбiльшим значенням когезiйної енергiї реалiзується у разi розташування атомiв i вакансiй, характерного для С1ba-фази. Перехiд до L21a-, B2c-фаз з iншим положенням компонентiв сплаву в його кристалiчнiй ґратцi супроводжується виникненням енергетично високозбуджених метастабiльних станiв. Сполука CoTiSb в основному станi є немагнiтним iзолятором, метастабiльнi фази перетворюються на метали з спiн-поляризованими електронними станами i магнiтними моментами, локалiзованими переважно на атомах кобальту.
Посилання
R.I. Krypyakevich, V.Ya. Markiv. Crystal structures of ternary compound in the systems Ti(V)–Fe(Co, Ni)–Sn(Sb). Dopov. Akad. Nauk UkrRSR No. 12, 1606 (1963) (in Ukrainian).
T. Graf, C. Felser, S.S.P. Parkin. Simple rules for the understanding of Heusler compounds. Prog. Solid State Chem. 39, 1 (2011).
https://doi.org/10.1016/j.progsolidstchem.2011.02.001
G.E. Bacon, J.S. Plant. Chemical ordering in Heusler alloys with the general formula A2BC or ABC. J. Phys. F 1, 524 (1971).
https://doi.org/10.1088/0305-4608/1/4/325
S. Ishida, T. Masaki, S. Fujii, S. Asano. Theoretical predicts of half-metallic compounds with the C1 structure. Physica B 239, 163 (1997).
https://doi.org/10.1016/S0921-4526(97)00401-8
J. Tobola, L. Jodin, P. Pecheur, G. Venturini. Unusual electron structure and electron transport properties of some disordered half-Heusler phases. J. Alloy. Compd. 383, 328 (2004).
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2004.04.041
P. Larson, S.D. Mahanti, M.G. Kanatzidis. Structural stability of Ni-containing half-Heusler compounds. Phys. Rev. B 62, 12754 (2000).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.62.12754
T. Sekimoto, K. Kurosaki, H. Muta, S. Yamanaka. Annealing efect on thermoelectric properties of TiCoSb half-Heusler compound. J. Alloy. Compd. 394, 122 (2005).
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2004.11.017
Y. Xia, V. Ponnambalam, S. Bhattacharya, A.L. Pope, S.J. Poon, T.M. Tritt. Electrical transport properties of TiCoSb half-Heusler phases that exhibit high resistivity. J. Phys.: Condens. Matter 13, 77 (2001).
https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/1/308
I. Skovsen, L. Bjerg, M. Christensen, E. Nishibori, B. Balke, C. Felser, B.B. Iversen. Multi-temperature synchrotron PXRD and physical properties study of half-Heusler TiCoSb. Dalton Trans. 39, 10154 (2010).
https://doi.org/10.1039/c0dt00742k
D. Singh. Plane Waves, Psedopotentials and LAPW Method (Kluwer Academic, 1994).
https://doi.org/10.1007/978-1-4757-2312-0
J.P. Perdew, S. Burke, M. Ernzerhof. Generalized gradient approximation made simple. Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996).
https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.77.3865
P. Blaha, K. Schwarz, G.K.Madsen, D. Kvasnicka, J. Luitz. WIEN2k, An Augmented Plane Wave + Local Orbitals Program for Calculating Crystal Properties (Vienna Univ. of Technology, 2001) [ISBN 3-9501031-1-2].
http://www.wien2k.at/reg_user/faq/.
B.R.K. Nanda, I. Dasgupta. Electronic structure and magnetism in half-Heusler compounds. J. Phys.: Condens. Matter 15, 7307 (2003).
https://doi.org/10.1088/0953-8984/15/43/014
S. Ouardi. Ph.D. thesis Electronic Structure and Physical Properties of Heusler Compounds for Thermoelectric and Spintronic Applications (J. Gutenberg-Universit¨at Mainz, 2012).
V.N. Uvarov, I.V. Urubkov, E.V. Urubkova, V.V. Klimov, O.Yu. Khizhun, V.V. Trachevskii. Electron structure of NaVP2O7 and NaFeP2O7 pyrophosphates: X-ray, photo-electron, NMR spectra and band structure calculations. Metallofz. Noveish. Tekhnol. 33, 145 (2011) (in Russian).
V.M. Uvarov, M.P. Melnyk, M.V. Uvarov, V.S. Mykhalenkov, T.L. Syzova. Electron structure of GdMeO3 (Me = V, Ni) oxides: X-ray electron, X-ray spectra and band structure calculations. Metallofz. Noveish. Tekhnol. 35, 279 (2013) (in Ukrainian).
J. Tobola, J. Pierre, S. Kaprzyk, R.V. Skolozdra, M.A. Kouacou. Crossover from semiconductor to magnetic metal in semi-Heusler phases as a function of valence electron concentration. J. Phys.: Condens. Matter 10, 1013 (1998).
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.










