Аморфізований субмікронний шар в області просторового заряду: новий підхід до проблеми підвищення ефективності кремнієвих сонячних елементів

Автор(и)

  • A. V. Kozinetz Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Інститут високих технологій (вул. Володимирська 64, 01601 Київ, Україна)
  • V. A. Skryshevsky Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Інститут високих технологій (вул. Володимирська 64, 01601 Київ, Україна)

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe63.01.0038

Ключові слова:

аморфiзований шар, область просторового заряду, n –p кремнієві сонячні батареї

Анотація

Створення тонкого субмiкронного аморфiзованого шару (АШ) в областi просторового заряду кремнiєвого фотоперетворювача може збiльшувати коефiцiєнт корисної дiї за рахунок домiшкового фотоелектричного ефекту. Ранiше цей пiдхiд був застосований до структур з модифiкованим шаром в областi емiтера. Такий шар можна створити за допомогою iонної iмплантацiї. Вбудова шару в область просторового заряду є перспективним пiдходом, оскiльки дозволяє досягти зменшення впливу рекомбiнацiї (через енергетичнi рiвнi в забороненiй зонi та рiвнi, пов’язанi iз локальними станами iнтерфейсiв). Параметри фотоперетворення модифiкованої структури дослiджено методом чисельного моделювання, який дозволяє отримати свiтловi вольт-ампернi характеристики для рiзних параметрiв АШ. На пiдставi цих результатiв визначено оптимальнi параметри АШ. У такому випадку щiльнiсть струму короткого замикання збiльшується завдяки поглинанню фотонiв з енергiєю, меншою нiж ширина забороненої зони кремнiю 1,12 еВ, а напруга холостого ходу та фактор заповнення залишаються майже без змiн. Теоретично, можливо отримати, пiдвищення ефективностi на 1–2% за абсолютною величиною. Це можливо, якщо шар з бар’єром у валентнiй зонi (менше, нiж 0,4 еВ) та бар’єром у зонi провiдностi (менше, нiж 0,1 еВ) створено у площинi, яка вiдповiдає близько 0,3 ширини областi простору заряду. У iншому випадку деградацiя струму короткого замикання i фактора заповнення нiвелює позитивний ефект додаткової фотогенерацiї. Збiльшення напруги холостого ходу на 10–12% (внаслiдок обмеження iнжекцiї в p-базу) супроводжується суттєвою деградацiєю щiльностi струму короткого замикання. Так, для збiльшення напруги холостого ходу шар iз суттєвим потенцiальним бар’єром в зонi провiдностi (близько 0,4 еВ) повинен бути розташованим поблизу базової областi.

Завантаження

Опубліковано

2018-02-01

Номер

Розділ

Напівпровідники і діелектрики

Як цитувати

Аморфізований субмікронний шар в області просторового заряду: новий підхід до проблеми підвищення ефективності кремнієвих сонячних елементів. (2018). Український фізичний журнал, 63(1), 38-48. https://doi.org/10.15407/ujpe63.01.0038

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають