Поверхнева фото-ерс структур Au−C60−Si

Автор(и)

  • В.В. Козаченко Київський національний університет імені Тараса Шевченка, фізичний факультет
  • С.В. Кондратенко Київський національний університет імені Тараса Шевченка, фізичний факультет
  • Є.Є. Мельничук Київський національний університет імені Тараса Шевченка, фізичний факультет
  • О.І. Даценко Київський національний університет імені Тараса Шевченка, фізичний факультет
  • З.Ф. Цибрій Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe56.3.263

Ключові слова:

-

Анотація

У роботі методами спектроскопії поверхневої фото-ерс, фото-люмінесценції, AFM та FTIR досліджено структуру Au–C60–Si. Досліджено також кінетику поверхневої фото-ерс. Показано, що фотолюмінесценція та поверхнева фото-ерс в інтервалі 1,3–1,8 еВ зумовлені оптичними переходами за участі синглетних та триплетних екситонних станів. Встановлено, що генерація поверхневої фото-ерс у структурі Au–C60–Si зумовлена просторовим розділенням електронно-діркових пар в плівці C60.

Посилання

D.A. Corley, T. He, and J.M. Tour, ACS Nano 4, 1879 (2010).

https://doi.org/10.1021/nn901566v

Th.B. Singh and N.S. Sariciftci, Annu. Rev. Mater. Res. 36, 199 (2006).

https://doi.org/10.1146/annurev.matsci.36.022805.094757

Springer Handbook of Nanotechnology, edited by B. Bhushan (Spinger, Berlin, 2004).

M.S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, and P.C. Eklund, Science of Fullerenes and Carbon Nanotubes (Academic Press, San Diego, 1995).

https://doi.org/10.1016/B978-012221820-0/50003-4

J. Hora, P. Panek, K. Navratil, B. Handlirova, J. Humlicek, H. Sitter, and D. Stifter, Phys. Rev. B 54, 5106 (1996).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.54.5106

Y. Wang, J.M. Holden, A.M. Rao, W.-T. Lee, X.X. Bi, S.L. Ren, G.W. Lehman, G.T. Hager, and P.C. Eklund, Phys. Rev. B 45, 14396 (1992).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.45.14396

D. Moses, C.H. Lee, B. Kraabel, G. Yu, and V.I. Srdanov, Synth. Met. 70, 1419 (1995).

https://doi.org/10.1016/0379-6779(94)02904-D

C.H. Lee, G. Yu, D. Moses, and V.I. Srdanov, Synth. Met. 70, 1413 (1995).

https://doi.org/10.1016/0379-6779(94)02901-A

W. Guss, J. Feldmann, E.O. Gubel, C. Taliani, H. Mohn, W. Muller, P. Hussler, and H.-U. ter Meer, Phys. Rev. Lett. 72, 2644 (1994).

https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.72.2644

T. Ohno, K. Matsuishi, and S. Onari, Solid State Commun. 101, 785 (1997).

https://doi.org/10.1016/S0038-1098(96)00741-7

V.V. Kveder, V.D. Negrii, E.A. Shteinman, A.N. Izotov, Yu.A. Osip'yan, and R.K. Nikolaev, Zh. Eksp. Teor. Fiz. 86, 405 (1998).

https://doi.org/10.1134/1.558443

U.D. Venkateswaran, M.G. Schall, Y. Wang, P. Zhou, and P.C. Eklund, Solid State Commun. 96, 951 (1995).

https://doi.org/10.1016/0038-1098(95)00560-9

U.D. Venkateswaran, D. Sanzi, A.M. Rao, P.C. Eklund, L. Marques, J.-L. Hodeau, and M. Nunez-Regueiro, Phys. Rev. B 57, R3193 (1998).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.57.R3193

A. Podolian, V. Kozachenko, A. Nadtochiy, N. Borovoy, and O. Korotchenkov, J. Appl. Phys. 107, 093706 (2010).

https://doi.org/10.1063/1.3407562

Завантаження

Опубліковано

2022-02-15

Номер

Розділ

Тверде тіло

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають